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[投影机] 连接器的射频干扰和噪声

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jhlyl3393 发表于 2007-9-9 22:17:45

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连接器的射频干扰和噪声
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& R# b3 U5 K) h2 B) I8 m  射频干扰源% D8 A1 ^, o9 u+ j

/ ^0 Y2 I7 Z. C  m" F* t  当今,电子系统的时钟频率为几百兆赫,所用脉冲的前后沿在亚纳秒范围。网络接口传输数据速率为100Mbit/s和155与622Mbit/s(ATM-异步传输模)。高质量视频电路也用以亚纳秒级的象素速率。这些较高的处理速度表示了工程上受到不断的挑战。7 C1 s. h8 H6 F+ I* f

7 C6 U0 v5 |$ C' G8 h5 B$ g& I8 D  这样的挑战之一是射频(RF)干扰,这是由于电磁能量的快速变化引起的。电路上振荡速率变得更快(上升/下降时间),电压/电流幅度变得更大,问题变得更多。因此,今天同以前相比,解决电磁兼容性(EMC)就更艰难了。
* D% K8 U+ \8 F' S- ^) r6 x5 G9 F# R$ ~
  在电路的两个波节之前,快速变化的脉冲电流,表示了所谓差模噪声源,电路周围的电磁场可以耦合到其它元件上和侵入连接部分。经感性或容性耦合的噪声是共模干扰。射频干扰电流是彼此相同的,系统可以建模为:由噪声源、“受害电路”或“接受者”和回路(通常是底板)组成。用几个因素来描述干扰的大小:  `' `, a9 h& C# S( ^$ B

" r6 W3 v$ d4 X* B  ●噪声源的强度
- `, w& S5 p, J9 A# B
4 X+ b* V. i' u5 u% e  I8 r# d  ●干扰电流环绕面积的大小* Z& p( e' h& b
' |: |8 p+ |+ ?* r% r
  ●变化速率
- [, u# y  T4 m& P
: o% y2 A& N( i$ |  于是,尽管在电路中有很可能产生不希望的干扰,噪声几乎总是共模型的。一旦在输入/输出(I/O)连接器和机壳或地平面之间接入电缆,有某些RF电压出现时,导致几毫安的RF电流就能足以超过允许的发射电平。
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# W. |  J! s9 V( n6 ^# G  噪声的耦合和传播- S8 Z4 z: _! R% p& F" v
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  共模噪声是由于不合理的设计产生的。有些典型的原因是不同线对中个别导线的长度不同,或到电源平面或机壳的距离不同。另一个原因是元件的缺陷,如磁感应线圈与变压器,电容器与有源器件(例如应用特殊的集成电路(ASIC))。
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: k; B, Z$ b1 @# K: n, ~  磁性元件,特别是所谓“铁芯扼流圈”型贮能电感器,是用在电源变换器之中的,总是产生电磁场。磁路中的气隙相当于串联电路中的一个大电阻,那儿要消耗较多的电能。于是,铁芯扼流圈,绕制在铁氧体棒上,在棒周围产生强的电磁场,在电极附近有最强的场强。在使用回描结构的开关电源中,变压器上必定有一个空隙,其间有很强的磁场。在其中保持磁场最合适的元件是螺旋管,使电磁场沿管芯长度方向分布。这就是在高频工作的磁性元件优选螺旋结构的原因之一。: h6 P5 ]3 q; w8 T
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  不恰当的去耦电路通常也变成干扰源。如果电路要求大的脉冲电流,以及局部去耦时不能保证小电容或十分高的内阻需要,则由电源回路产生的电压就下降。这相当于纹波,或者相当于终端间的电压快速变化。由于封装的杂散电容,干扰能耦合到其它电路中去,引起共模问题。) e& \' S/ |4 A' p, q$ r1 b, t
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  当共模电流污染I/O接口电路时,该问题必须解决在通过连接器之前。不同的应用,建议用不同的方法来解决这个问题。在视频电路中,那儿I/O信号是单端的,且公用同一共同回路,要解决它,用小型LC滤波器滤掉噪声。在低频串联接口网络中,有些杂散电容就足够将噪声分流到底板上。差分驱动的接口,如以太,通常是通过变压器耦合到I/O区域,是在变压器一侧或两侧的中心抽头提供耦合的。这些中心抽头经高压电容器与底板相连,将共模噪声分流到底板上,以使信号不发生失真。
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5 }- v* V, u& \  在I/O区域内的共模噪声2 a! Y6 S! |' x, L7 X0 O
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  没有一个通用办法来解决所有类型的I/O接口的问题。设计师们的主要目标是将电路设计好,而常常忽略了一些视为简单的细节。一些基本法则能使噪声在到达连接器以前,降至最小:4 L$ q% e5 B: U- i0 }! x/ U

! Y! m7 r8 v( C: Y5 J  1)将去耦电容设置在紧挨负载处。
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  2)快速变化的前后沿的脉冲电流,其环路尺寸应最小。1 E; @' ]0 n. C6 x

+ T2 C' T4 l) Y( u1 t$ z  3)使大电流器件(即驱动器和ASIC)远离I/O端口。
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  4)测定信号的完整性,以保证过冲和下冲最小,特别是对于大电流的关键性信号(如时钟,总线)。
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  5)使用局部滤波,如RF铁氧体,可吸收RF干扰。  \8 v* c, k" |8 v, m1 A5 b
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  6)提供低阻抗搭接到底板上或在I/O区域的基准在底板上。
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 楼主| jhlyl3393 发表于 2007-9-10 23:00:27
射频噪声和连接器
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  即使工程师采取许多上述所列的预防措施,来减小在I/O区内的RF噪声,还不能保证这些预防措施能否成功地足够满足发射要求。有些噪声是传导干扰,即在内部电路板上按共模电流流动。这个干扰源是在底板和电路等之间。于是,这个RF电流一定通过最低阻抗(在底板和载信号线之间)的通路流动。如果连接器没呈现足够低的阻抗(与底板的搭接处),这RF电流经杂散电容流动。当这RF电流流过电缆时,不可避免地产生发射(图1A)。
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0 v$ g7 C1 T  Z6 u3 @$ k% v
图1 RF噪声为何到达电缆
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5 ^8 Z# ~3 y' o, l. D+ H  使共模电流注入到I/O区的另一机理,是附近有强的干扰源的耦合。甚至有些“屏蔽”连接器也无用,因为干扰源就在连接器附近,如PC机环境。如果在连接器和底板之间有一个缺口,此处所感应的RF电压可以使EMC性能下降(图1B)。6 E3 `5 D; u4 ^1 Z

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# O) g/ b* H1 Z! B- L8 E) N# w4 z: R图2 连接器设计选择' B# @/ T+ M. Z8 l
4 Y1 `0 e8 {8 v( u8 t6 |
  屏蔽连接器方法有,加指形簧片或垫片。连接器的搭接,是在连接器和机壳之间填满空处。这个方法要求有一个衬垫(图2A)。金属衬垫较好,只要处理合适,也就是说,只要表面不被污染,只要手不触及或损坏衬垫以及只要有足够的压力,以保持好的、低阻抗的接触。
* x9 e7 n0 K; ~! k9 Z# A
3 I; d: Q' I1 Z" u" u+ N8 m  别的方法是连接器装接头片或者把连接器安装在机壳上。此时,最大接触面稍微小些,且应严格控制接头片的尺寸和弹性。安装屏蔽连接器时,在机壳上开口,开口的一侧要去掉油污(图2B),要仔细制作,若公差不合适,导致连接器在机壳内陷入太深,使搭接中断。每位EMC工程师知道,在“极好”的系统当中,这个问题一定要满足发射要求,并在生产线及时检查。未紧固的或弯曲的衬垫,安装于关键区域(如安装连接器的开口)的油污上,将失效。# X" O9 g9 j& h1 k0 f+ Z

  b; }1 w! i" D8 X5 ?3 J  {- Z  由于下述原因选用了EMI连接器;' }/ Y6 l6 i$ a$ T( O( m, s" W

# A  U+ h9 ], ~. g; ~4 H9 K  1)导电发泡塑料是极其柔软的,且能放在连接器的整个周围。这就消除了与另一机壳、衬垫有关的问题。
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  2)机械工程师可以在系统机壳可接收的公差范围内安装连接器。
: e$ w: M) c4 w3 Z  [* s7 T. \& x! I, M, P1 y! K
  3)连接器与机壳实现低阻抗搭接,以保证良好接触。机壳壁内侧上的衬垫,当要涂漆有遮蔽要求时,可以用更柔软的材料。, {: a) h. ?# f3 P, m: T

' C7 ?7 |- N/ l; ~+ T' U  ]  4)要求强迫冷却的设计,衬垫最好有另一特点:连接器和机壳壁之间的缝应密封起来,以减少气漏。在有尘埃的环境中,衬垫要起到系统内保持干净。8 M. H: {5 g4 C6 g
+ q3 L3 D' k! h* r0 C$ u
  结论1 V6 o$ ~) }1 E" O) B$ i3 L
2 M3 [, v! E# o' @6 x+ u9 b! S2 e. C
  当前市场上有各种各样的连接器,能使设计师为特殊接口,获得最佳设计。
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