聆闻
发表于 2009-10-8 23:05:26
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1、选择 LDO 的基本要素. S: w9 n" H' D- S
' \5 q) R1 ~3 P( g, m3 l1 ]' ? 包括输入电压范围、预期输出电压、负载电流范围以及其封装的功耗能力。此外，地脚电流 Ignd 或静态电流 Iq、 电源 波纹抑制比 PSRR、噪声及封装等也是 LDO 选择时的应关注的因素。4 O$ W0 z. o3 P1 f x: u
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2、输入输出电压差 # t# M: A5 R+ J# a6 O
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! }# b* |4 H$ m+ v7 m' W" I+ H: ~ 输入输出电压的差值是 LDO 最重要的参数之一。在保证输出电压稳定的前提下，该电压差越低， 稳压器 的性能越好，效率越高。反之，当确定 LDO 能够提供预期输出电压时，需要进一步考虑其压降。输入电压必须大于预期输出电压与特定压降之和，即
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Vin > Vout + Vdropout。( r/ K* V( _( H: r5 v0 Q, @2 S6 s
1 m- k: S0 E* p: ? _5 a 如果 Vin 降低至必需的电压以下，则我们说 LDO 出现“压降”，输出等于输入减去旁路元件的 RDS( ON ) 乘以负载电流。LDO 的最大优点就是：满载的跌落压降一般小于 500mV。轻载时的压降只有 10 到 20mV。
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3、静态电流" Q/ t1 I9 X" Q/ y
' ?1 }/ s0 j) i! z; L/ n) i( D J LDO自身存在的静态电流，不容忽视。例如， 电池 供电时，为最大化电池的运行时间，应选择相对于负载电流来说，Iq 极低的 LDO。假设，LDO供电时，Iq 只增加0.02%的微不足道的电池消耗，那么在 100mA 负载情况下，采用 200μA 的 Iq 就比较合理。2 X9 A$ p% m6 V0 q! ~
. e) z+ L8 i/ N/ A9 t 4、外围的 电容器" [8 ^- h. W2 |! [( C/ i' M
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典型的 LDO 应用时，需要添加额外的输入和输出电容器。选择对电容器稳定性方面没有要求的 LDO，可以降低尺寸与成本，另外某些情形甚至可省略这些电容。一般地做法是，选用较低串联等效阻抗 ESR 的电容器可提高 PSRR、降低噪声以及保持对负载变化的快速瞬态响应能力，而不仅仅是提高电容容量的问题。从这方面讲，可节约一定的成本。
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5、低功耗设计中的问题" l4 B' m! }: f5 K4 H6 V' @; d$ p
/ ^2 W) _1 v& k5 W8 ] 由于电池的放电特性的差异性，某些情况下，压降对电池寿命将产生决定性影响。例如， 碱性电池 放电速度就比较慢些，其电源电压在压降情况下可以提供比 NiMH 电池更多的容量。因此，较低的 Iq 并不能始终保证长电池寿命。哈哈，这点似乎与上面的第 3 点互相矛盾!你必须在 Iq 和压降之间仔细权衡，以便在电池寿命期间获得最大的容量，这才是最重要的。 |
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