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) l" Z8 ?8 W, R# U07.MDRAM(Multi-Bank DRAM,多插槽动态随机存取存储器)
( H2 q0 ]& D' @8 l) K MoSys公司提出的一种内存规格,其内部分成数个类别不同的小储存库 (BANK),也即由数个属立的小单位矩阵所构成,每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接,一般应用于高速显示卡或加速卡中,也有少数主机板用于L2高速缓存中。% ~( C; A: ?& o: x$ t
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08.WRAM(Window RAM,窗口随机存取存储器)
7 O7 Z2 k. p1 g) S8 F 韩国Samsung公司开发的内存模式,是VRAM内存的改良版,不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入/输出控制器,并采用EDO的资料存取模式,因此速度相对较快,另外还提供了区块搬移功能(BitBlt),可应用于专业绘图工作上。+ x9 H. f% c I+ X
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09.RDRAM(Rambus DRAM,高频动态随机存取存储器)/ X0 n2 v w' W" A3 H; E
Rambus公司独立设计完成的一种内存模式,速度一般可以达到500~530MB/s,是DRAM的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变,因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。
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10.SDRAM(Synchronous DRAM,同步动态随机存取存储器). D b# K8 g% Z' ~: X/ p: }& A
这是一种与CPU实现外频Clock同步的内存模式,一般都采用168Pin的内存模组,工作电压为3.3V。 所谓clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料,这样可以取消等待周期,减少数据传输的延迟,因此可提升计算机的性能和效率。
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11.SGRAM(Synchronous Graphics RAM,同步绘图随机存取存储器)
1 P: I6 d+ R4 i3 ]# S5 |4 J SDRAM的改良版,它以区块Block,即每32bit为基本存取单位,个别地取回或修改存取的资料,减少内存整体读写的次数,另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器,并提供区块搬移功能(BitBlt),效率明显高于SDRAM。; V& C5 F e" ?' Z6 O1 M; h% V. W
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12.SB SRAM(Synchronous Burst SRAM,同步爆发式静态随机存取存储器)
- L6 U, g; B3 ?4 y' E# A8 ~" C 一般的SRAM是非同步的,为了适应CPU越来越快的速度,需要使它的工作时脉变得与系统同步,这就是SB SRAM产生的原因。
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13.PB SRAM(Pipeline Burst SRAM,管线爆发式静态随机存取存储器)
. Q, e& ?$ D; }* c4 Y3 G7 T CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求,管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成为必然的选择,因为它可以有效地延长存取时脉,从而有效提高访问速度。- Y7 X: C2 \4 N0 j1 @* b
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14.DDR SDRAM(Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器)
# k0 _- W$ j( r n" i 作为SDRAM的换代产品,它具有两大特点:其一,速度比SDRAM有一倍的提高;其二,采用了DLL(Delay Locked Loop:延时锁定回路)提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。4 X h+ [5 w1 N' Q, l$ y6 I% ?3 B' ]2 \
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' f8 J7 v2 x& H; Y* U D0 z15.SLDRAM (Synchronize Link,同步链环动态随机存取存储器)" }+ s- U2 z: S t& \
这是一种扩展型SDRAM结构内存,在增加了更先进同步电路的同时,还改进了逻辑控制电路,不过由于技术显示,投入实用的难度不小。' |9 v' A3 S1 _) F) A
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16.CDRAM(CACHED DRAM,同步缓存动态随机存取存储器)
9 N1 Y& E$ z& {0 c# q/ B O 这是三菱电气公司首先研制的专利技术,它是在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级CACHE使用。当前,几乎所有的CPU. D! W* n4 {7 F2 r0 z N
都装有一级CACHE来提高效率,随着CPU时钟频率的成倍提高,CACHE不被选中对系统性能产生的影响将会越来越大,而CACHEDRAM所提供的二& I' |! K; t9 {7 q i! B: v' `4 @
级CACHE正好用以补充CPU一级CACHE之不足,因此能极大地提高CPU效率。
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17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM,第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)
/ T7 c2 \& ~9 V# q4 `' z DDRII 是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。/ g2 ^" F$ ~( f5 ?! F- N
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18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
: ^; B) Y) Q& I& O4 T' r 是下一代的主流内存标准之一,由Rambus 公司所设计发展出来,是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus,这样不但可以减少控制器的体积,已可以增加资料传送的效率。9 b a" @& `0 u# f: F$ q& _3 V& l: u
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( L4 s- X+ Q' a; \, o* S4 t8 M, i二、ROM(READ Only Memory,只读存储器)5 y( x$ y9 k7 \$ v. F5 c5 {* u3 l
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1 O/ [8 p4 d, S+ A& w' O# I ROM是线路最简单半导体电路,通过掩模工艺,一次性制造,在元件正常工作的情况下,其中的代码与数据将永久保存,并且不能够进行修改。一般应用于PC系
8 T3 e9 h5 V* B, t0 c* F1 M统的程序码、主机板上的 BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/OutputSystem)等。它的读取速度比RAM慢很多。# a$ w* J/ p2 ]7 L' x3 ?
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8 U, S, l; F8 [/ b6 D根据组成元件的不同,ROM内存又分为以下五种:0 i: M! n6 t Y
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$ X; j+ ^. _% _5 e; \1.MASK ROM(掩模型只读存储器)( [1 J" W) v% z- c0 F7 A4 _) s1 V' [
制造商为了大量生产ROM内存,需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本,然后再大量复制,这一样本就是MASK ROM,而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。它的成本比较低。9 Y* f4 @- Y9 E! H" b) {5 f; i
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2 D# D! o4 l o$ y( D) r2.PROM(Programmable ROM,可编程只读存储器)
0 _; t/ N$ V0 ?& E 这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存,但只能写入一次,所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One$ h3 U8 d( ?! m; U$ a( e
TimeProgarmmingROM,OTP-ROM)。PROM在出厂时,存储的内容全为1,用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的 ^8 E$ U2 [( P% W* [
PROM在出厂时数据全为0,则用户可以将其中的部分单元写入1), 以实现对其“编程”的目的。. s7 W8 Z: U8 H, z
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5 W5 l1 R# Y' X& T! S, J, [0 q3.EPROM(Erasable Programmable,可擦可编程只读存储器)! w) p/ W, X- e- z6 f5 @
这是一种具有可擦除功能,擦除后即可进行再编程的ROM内存,写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比
, y, k: S& G1 i: m4 ^( z* Y% U较容易识别,其封装中包含有“石英玻璃窗”,一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住, 以防止遭到阳光直射。' k3 H& u- u5 t3 ~ h
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: j1 }: | l. m5 n4.EEPROM(Electrically Erasable Programmable,电可擦可编程只读存储器)! V( [3 [( i6 {" }" x
功能与使用方式与EPROM一样,不同之处是清除数据的方式,它是以约20V的电压来进行清除的。另外它还可以用电信号进行数据写入。这类ROM内存多应用于即插即用(PnP)接口中。& l4 @# x! I3 M5 Q
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这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC拔下的内存,当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉,在写入资料时必须先将原本的资料清除掉,然后才能再写入新的资料,缺点为写入资料的速度太慢。5 |# s( c# Y9 \6 T
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5 J9 o6 O$ H" o3 M0 J0 K) o$ o3 h' b# c
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SDRAM、DDR见第一大类的第10和第14小类。
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