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1. STR-A6259主要特点:0 ^% r% F3 ~' o
STR-A6259是电源MOS管和电流模式控制电路内藏的PWM方式电源IC。采用副边电压检测方式,内藏的电源MOS管保证雪崩,另外,控制IC采用了高耐压的BCD 工艺,消耗功率低,外接元件少。通常动作时PWM模式,轻负载时自动切换到间隙振荡模式,在宽电压输入下能够实现全负载领域的高效率化。
/ J' {1 D# g- I3 J7 F具体特点如下:$ h$ w4 D" u0 G T
① 启动电路内藏,电源启动时,减轻电源MOS管的压力,没有了启动电阻的功耗,实现低功耗。
" G2 i+ c+ C: D/ D② 双晶片构造,MOS管保证雪崩,具有高破坏耐量,可将浪涌吸收电路简化。) S+ |0 X" d" \5 {
③ 动作频率抖动功能内藏,简化EMI滤波器。
0 N! v: \" L# I( `0 l3 I' Q. r④ 通过增加两个电阻,实现定电流垂下动作。2 V! M3 m+ _% i) F
⑤ 待机自动间隙振荡功能内藏,A. 无负载时,低消耗功率;B. 通常动作时,PWM模式;C. 待机时,Burst模式。
8 c, k$ ?6 a* w⑥ 计时器内藏型。
2 W6 `; W$ `) V! K⑦ 丰富的保护功能。8 Q9 e1 }1 { }) \, c" s& [: k
⑧ DIP-8绝缘封装。% C8 C0 w1 Z/ @
2.STR-A6259引脚功能:
^+ i: u* M# V9 U: M3 ?+ z1脚:过流保护0 e* y& O3 I6 C, q3 C" F( ^
2脚:软启动/频率控制
9 X# H/ T# ^: U3脚:地) f& d) R/ o" R0 e* O
4脚:电压反馈/定电流控制/过负载保护3 L5 @! Q8 l- D$ J( T1 }7 [: O
5脚:电源8 S( ^* d$ o! p# c. l. c5 n2 V
7脚、8脚:MOS管漏极! f' q: z# z* N) G9 ~1 Z
3.STR-A6259内部框图:. C- g/ H. h2 v. i* I( k
- L2 Y# F* n+ U5 h* {, g) C
8 H0 m6 Z D) K: U0 r# l: E7 p4. STR-A6259应用图:8 x4 S' `( {# Y7 `
7 A& x$ T: x/ Q2 M: c
. }! ?$ H7 q& H5.副电源工作原理:
8 ]8 k% _ s7 m; b5 g/ T 启动电路:220V交流电压经EMI滤波电路,再经D33、C11整流滤波后得到300V电压,300V电压经过变压器T2的4、5绕组加到IC5(STR-A6259)的7、8脚,启动电路在IC5内部和漏极(7、8脚)相连接,由IC内部产生定电流给IC5的第5脚VCC端子外电容C19充电,当5脚电压上升到动作开始电源电压Vcc(on)=14.3V后,电源开始启动。启动时间由C19的容量大小决定,该起动时间的计算为:* X; D# p3 }& u+ e
Tstart=C19*(Vcc(on)-Vcc(int))/Istartup
2 P V# F" e, x s# e其中:Tstart为启动时间; Vcc(int)为VCC端子初期电压;
8 v! |! N i3 P: k4 A" i电源启动后,内部起动电路自动切断,启动电路不消耗能量。电源起动后5脚VCC电压由变压器2、1绕组经R63、D13、R59提供,如果因某种原因,控制电路动作,VCC电压下降,当低于动作停止电源电压Vcc(off)=10V后,低输入时动作禁止(UVLO)电路动作,控制电路停止,回到起动前的状态。/ x: h, y/ J% W+ x4 r" i( E
振荡输出:启动电路工作,振荡器开始振荡,经驱动电路送至场效应管的控制栅极,MOS管开始导通,开关变压器绕组上有电流流过,整个开关电源开始工作。MOS管导通时,脉冲开关变器T2的各级处于储能状态。当电压上升到一定幅度,MOS管源极电流产生的压降会使IC5内部的比较器翻转,从而使振荡器停止,MOS管关断,此时变压器T2的次级7、9绕组续流二极管D4和滤波电容C54释放能量,产生5V电压给主板CPU供电,初级绕组1、2绕组经D13、C46整流滤波后产生的VCC电压给IC1、IC301、IC3、IC4供电。MOS管关断后,源极对地电阻上压降为零,此时控制比较器再次翻转,振荡器开始振荡,MOS管再次导通,如此循环往复,振荡器得以维持,副电源就可以持续不断的工作。5 q! _/ Y2 z3 v. Q- m9 {
稳压电路:当5V电压升高,R68取样电样电压升高,IC8的输入电压加大,输出降低,使得PC4A发光二极管负端电压比正常时低,同时5V电压经R66送到PC4A的正端,此电压比正常时要高,因此,PC4A发光二极管的导通程度加深,发光亮度增强,经光电耦合,使得PC4B光敏三极管电流增大,此加大的电流直接反馈到IC5的第4脚,通过内部电路,使得MOS管提前进入关断状态,使电源内部MOS管的占空比减小,从而使输出电压降低,以达到稳压的作用。同理,当5V电压降低时,其控制过程与上述相反,从而使输出电压稳定在一定范围内。) I1 G& | G* }8 Z+ b* f
保护电路:① 过压保护,当5脚VCC电压雪超过OVP动作电源电压VCC(ovp)=32V时,锁定电路动作,开关动作停止,MOS管被关断,开关电源停止工作。
( ^& u+ n5 Y# H6 g② 过流保护:当过流时,1脚S/ocp端子通过外接取样电阻R7分压,电流增大,1脚电压上升,当检测电阻R7的电压达到1脚的门槛电压Vocp=0.7V时,电源MOS管关断。( d, \, U: }. W# ?3 v* a* `; ~) ~! i& n
③ 过热保护:当IC内部温度升到125度时,该电路使锁定电路动作,MOS管关断。
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STR-A6259组成的典型应用电路如下:
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