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简介：这里的问题是这样的，一个控制口给三个PNP的管子的基极供电，失效的时候是一个管子不能进入饱和区，由于每个管子的VBE和HFE的初始值不相同，且随着温度变化相差更大，由此引发的问题是三个管子不能正确的偏置，VBE比较低的管子的偏置电阻的电流最大，其余的两个管子的偏置电流就显得小。 Ib如果太小了，假定Ic一定的话 否中情况出现H=Ic/Ib，在温度低的情况下，很容进入放大区，导致Vce太大，逻辑就可能会出现问题。 1 [. T+ u& c8 N" _. L2 b/ V# ~; [6 }
, }% q. z0 c7 Q& L 因此即使一个NPN可以用来偏置几个PNP的管子，每个管子要有独立的基极电阻，这样可实现存在Vbe差别的情况下，通过电阻实现一定的均流，确保电流的独立。
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即使控制端也不能随便将多个管子连在一起，这点是我们要注意的。 注意模块间接口使用的问题 如果设计的时候，使用了ULN2003，由于直接用它的输入级接入模块的输入端，因此出现了问题。 由于电缆上存在分布电感和分布电容，因此很容易出现耦合，在ISO7637的实验中，存在高频脉冲250V，200ns
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我们必须加入限流电阻，并且与RB和分压，或者加入其他抗瞬态的器件，这样的设计是非常耗成本的，因此一般可以采用分立的器件。 最好不用用晶体管的基极直接面对输入，这回造成很大的隐患。 另外一个错误很常见，就是直接把晶体管的基极接至MCU的输出管脚上面，前面已经验算过MCU的输出能力：单片机IO口的驱动能力 这很明显的造成了晶体管Ib过大，引起过大的损耗。 $ z3 R0 Q( T; M! |! l
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因此如果遇到分立的晶体管，注意验证它的基极，是否直接接MCU，是否内部含有限流电阻(Build-in)，否则很可能造成过热和损坏。 这里顺便说明一下，三极管由于有热击穿效应，所以建议把余量放大些，60%～75%，否则很有可能造成损坏。 , X" c' P6 b2 w; i9 |, _
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发表于 2017-4-26 21:31:08
