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如果不用固定的时钟来初始化导通时间,而利用 检测电路 来有效地“感测” MOS FET (VDS) 漏源电压的第一个最小值或谷值,并仅在这时启动 MOSFET 导通时间,结果会是由于寄生电容被充电到最小电压,导通的电流尖峰将会最小化。这情况常被称为谷值 开关 (Valley Switching) 或准谐振开关。这篇文章的目的目的在于和大家分享关于准谐振反激的原理、应用及参数计算方面的知识。
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准谐振 QR
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* {/ v! u2 u; ^7 O6 K, U+ x 主要是降低 MOSFET 的开关损耗，而mos的开关损耗主要是来源于自身的输出电容。
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1 O0 N2 d1 G. C8 O- R5 E 从上图中，大家可以讨论一下，一般的开关损耗来自于那几个部分的寄生电容产生的。在传统的非连续模式反激DCM)的停滞时间内，寄生电容将会跟VDC周围的主要 电感 产生振荡。寄生电容上的电压会随振荡而变化，但始终具有相当大的数值。当下一个周期MOSFET导通时间开始时，寄生电容会通过MOSFET放电，产生很大的电流尖峰。由于这个电流出现时MOSFET存在一个很大的电压,该电流尖峰因此会做成开关损耗。; d; t" Z) P8 r5 E6 [
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8 v2 U. e& K/ m: B8 ] 从上面的图可以看到，准谐振跟一般的传统反激原理基本一样。
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5 _+ q4 C* t: F j0 r% l- E0 Y Lleak是初级漏感，Rp是初级 电阻 ，Cp是 谐振电容 ；
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. y, w, i `# j$ N( _ 当副边绕组中的能量释放完毕之后(即 变压器 磁通完全复位)，在 开关管 的漏极出现正弦波振荡电压，振荡频率由LP、CP决定，衰减因子由RP决定。, [. P, U8 O/ @2 O
9 ~5 o2 b9 |. F: W0 k# P) M 对于传统的反激式 变换器 ，其工作频率是固定的，因此开关管再次导通有可能出现在振荡电压的任何位置(包括峰顶和谷底)。 |
发表于 2005-12-22 20:52:00
