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英特尔推出三项芯片封装相关新技术6 {; W4 D3 e% H
7月11日消息，在本周于旧金山举办的SEMICON West大会上，英特尔的工程技术专家们介绍了英特尔先进封装技术的最新信息，并推出了一系列全新基础工具。
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芯片封装在电子供应链中看似不起眼，却一直发挥关键作用。作为处理器和主板之间的物理接口，封装为芯片的电信号和电源提供了一个着陆区。随着电子行业正在迈向以数据为中心的时代，先进封装将比过去发挥更重大的作用。
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此次大会上，英特尔分享了三项与芯片封装相关的全新技术：
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; G" I! R6 D7 z# H7 MCo-EMIB：英特尔的EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)2D 封装 和Foveros 3D 封装技术利用高密度的互连技术，实现高带宽、低功耗，并实现相当有竞争力的I/O 密度。而英特尔的全新Co-EMIB 技术能将更高的计算性能和能力连接起来。Co-EMIB 能够让两个或多个Foveros 元件互连，基本达到单晶片性能。设计师们还能够以非常高的带宽和非常低的功耗连接模拟器、内存和其他模块。(Co-EMIB 技术视频)
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" h) j; @8 A l+ OODI：英特尔的全新全方位互连技术(ODI)为封装中小芯片之间的全方位互连通信提供了更大的灵活性。顶部芯片可以像EMIB 技术下一样与其他小芯片进行水平通信，同时还可以像Foveros 技术下一样，通过硅通孔(TSV)与下面的底部裸片进行垂直通信。ODI 利用大的垂直通孔直接从封装基板向顶部裸片供电，这种大通孔比传统的硅通孔大得多，其电阻更低，因而可提供更稳定的电力传输，同时通过堆叠实现更高带宽和更低时延。同时，这种方法减少了基底晶片中所需的硅通孔数量，为有源晶体管释放了更多的面积，并优化了裸片的尺寸。(ODI 技术视频); I! p1 Z, S2 t
+ n( F+ K6 f2 C; ^MDIO：基于其高级接口总线(AIB)物理层互连技术，英特尔发布了一项名为MDIO 的全新裸片间接口技术。MDIO 技术支持对小芯片IP 模块库的模块化系统设计，能够提供更高能效，实现AIB 技术两倍以上的响应速度和带宽密度。
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发表于 2019-7-13 17:28:19
