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ROHM面向车载系统开发出200V耐压肖特基势垒二极管“RBxx8BM/NS200”% d8 F2 u2 f' H; R6 h& I! n/ V
# x& C( q+ u, Q6 u: E 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），面向包括xEV在内的动力传动系统等车载系统，开发出200V耐压的超低IR※1肖特基势垒二极管※2（以下简称“SBD”）“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。& L! z- n4 O: [ W/ R6 v1 n- Z
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& d2 t7 ?3 l! c; s5 s6 H/ b6 d3 e RBxx8BM/NS200是RBxx8系列的新产品，该系列产品是可在高温环境下工作的超低IR SBD，已经在日本国内的汽车市场取得非常优异的业绩。此次，利用其超低IR特性，实现了高达200V的耐压，可替换以往在汽车中普遍使用的整流二极管※3和快速恢复二极管※4（以下简称“FRD”），因此可显著改善VF※5特性（比以往FRD低约11％）。不仅有助于进一步降低应用的功耗，还可因发热量降低而实现小型封装设计，从而进一步节省空间。
( ]; Y( W: D `+ \ 本产品已于2019年7月份开始出售样品（样品价格250日元／个，不含税），预计将于2019年9月开始以月产100万个的规模投入量产。前期工序的生产基地为ROHM Wako Co., Ltd.（日本冈山），后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰国）和ROHM Korea Corporation（韩国）。
. Z. i" Z) U7 J* A+ k' [ ＜开发背景＞# e( {; E: l, E. h2 o4 \/ P5 a
ROHM已实现可在车载的高温环境下使用的耐压达150V的超低IR SBD RBxx8系列的量产，并已获得高度好评。近年来，在48V轻度混合动力等驱动系统中，将电机和外围部件集成于1个模块的“机电一体化”已成为趋势技术，能够在高温环境下工作的高耐压、高效率SBD的需求日益高涨。而另一方面，在以往使用150V产品的系统中，高性能化和高可靠性要求越来越严格，因此要求SBD要具有更高的耐压性能。
2 a7 }3 |+ B6 p. G* \) ~ 在这种背景下，ROHM在RBxx8系列的产品阵容中新增加了200V耐压的产品。未来，罗姆将进一步扩充产品阵容，为车载和工业设备等广泛的应用领域进一步降低功耗、节省空间贡献力量。, ?5 L1 m# a& W6 z
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＜特点＞
( h, c3 r9 L4 w& D, m) T0 G% V# x 在高温环境下使用的车载和电源设备的电路，希望将以往的整流二极管和FRD替换为效率性能更优异的SBD。然而另一方面，SBD存在的问题是随着工作环境温度上升，IR特性会恶化，容易引发热失控，因此对于高效率且在高温环境下也可安全使用的产品开发需求越来越强烈。* C) g) g9 |/ F4 H+ t
RBxx8系列采用非常适用于高温环境的阻挡金属，大大改善了在车载和电源设备的电路中使用SBD时的最大课题--IR特性，成功打造了在车载和工业设备等高温环境下也可安全使用、无需担心热失控的SBD系列产品。+ _& }: t! N1 i/ s( u
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9 `' \8 C) F; M, j$ @: } 1.替换FRD，有助于进一步降低应用的功耗
. _- Y5 Q4 `2 N& c" ? 拥有超低IR特性，可实现高达200V的耐压，从而可将以往在需要200V耐压的车载系统中使用的FRD替换为SBD。RBxx8BM/NS200与FRD产品相比，VF特性可降低约11％，有助于应用的低功耗化。
/ t: a8 K8 ?1 w0 E- |, t0 f$ z6 O 2.发热量减少，可小型封装设计，有助于应用进一步节省空间* g* w! q Q" L+ s. {
更低VF可抑制发热量，因此与以往产品相比，可实现同一尺寸小型封装设计。- Q% J9 @- v/ t. {- ~
目前，中等功率封装品也在开发中，未来，曾经使用的5.9×6.9mm尺寸FRD产品将能够被替换为2.5×4.7mm的小型封装产品，安装面积可削减71%。
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( r1 Z1 `* f! ^ M ＜产品阵容＞! {# X/ P3 t% p/ E# g
此次新增加的200V产品包括8款机型，至此，RBxx8系列的产品阵容已多达212款机型。
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＜应用＞
8 x7 @. r0 K/ O, s3 }- F6 | 动力传动系统等车载系统（xEV等）、工业设备逆变器、各种电源设备等。% _4 X. I+ u/ Q4 q
＜术语解说＞
h2 `; ]# T- c* p8 l/ z" V ※1）IR（Reverse Current）' F2 p2 l+ u8 E$ O
施加反向电压时产生的反向电流。值越小功耗越低。0 P# X0 p% Y$ l0 p1 B% M
※2）肖特基势垒二极管（Schottky-Barrier Diode：SBD）9 r. Z7 Q6 I2 Y, k* p2 n0 B% W2 K& j
具有“正向电压降较小、开关速度快”特点的二极管。主要用于开关电源等。
1 E# L: P3 d' w% K/ ^, ? ※3）整流二极管（Rectifier Diode）
; F( R1 T9 {% m$ U, |. { 具有从交流转换为直流功能的二极管。
- p- a: e# }, z5 P. K6 m ※4）快速恢复二极管（Fast Recovery Diode： FRD）" |( u# `" K" b! |
将施加的正向电压切换为反向电压时，瞬间流过的反向电流达到零的时间（即反向恢复时间）很短的二极管。' k! K4 B+ l0 i& \
※5）VF （Forward Voltage）
: Q2 W2 ~! [$ L- i) r 流过正向电流时二极管产生的电压值。值越小功耗越低。 |
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发表于 2019-8-27 21:16:29
