小雨点
发表于 2006-3-23 21:35:00
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LED死灯诸多原因
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+ k& A- E* ~9 }$ \ 今天我们就LED死灯为例,来分析有多少种原因:7 \, O/ V) G _7 k8 O
" @6 I/ B% k2 [7 w' o' J, Y% t, z 以失效分析大数据显示,LED死灯的原因可能过百种,今天我们以LED光源为例,从LED光源的七大原物料(芯片、支架、荧光粉、固晶胶、封装胶、焊剂和金线)的入手,先容部门可能导致死灯的原因。) q' |7 m) M" q9 y e \6 l+ r" Z
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一、芯片, U2 O5 U( t5 l; {" Q
$ H7 l! u8 ~! r" y$ w! T 01、芯片抗静电能力差) I4 t- b/ T* p! d z/ W
' H. Q# |, w0 ^7 u1 Z LED灯珠的抗静电指标高低取决于LED发光芯片本身,与封装材料预计封装工艺基本无关,或者说影响因素很小,很细微;LED灯更轻易遭受静电损伤,这与两个引脚间距有关系,LED芯片裸晶的两个电极间距非常小,一般是一百微米以内吧,而LED引脚则是两毫米左右,当静电电荷要转移时,间距越大,越轻易形成大的电位差,也就是高的电压。所以,封成LED灯后往往更轻易泛起静电损伤事故。" @- l9 Y2 }# d/ Y6 a& B
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) M! ]4 a* O' w2 d5 a8 Y+ m" X 02、芯片外延缺陷
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LED外延片在高温长晶过程中,衬底、MOCVD反应腔内残留的沉积物、外围气体和Mo源都会引入杂质,这些杂质会渗透磊晶层,阻止氮化镓晶体成核,形成各种各样的外延缺陷,终极在外延层表面形成微小坑洞,这些也会严峻影响外延片薄膜材料的晶体质量和机能。" s7 O2 {( p2 Z; \. R0 X
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03、芯片化学物残余
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电极加工是制作LED芯片的枢纽工序,包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨,会接触到良多化学清洗剂,假如芯片清洗不够干净,会使有害化学物残余。这些有害化学物会在LED通电时,与电极发生电化学反应,导致死灯、光衰、暗亮、发黑等现象泛起。因此,鉴定芯片化学物残留对LED封装厂来说至关重要。
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04、芯片的受损
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LED芯片的受损会直接导致LED失效,因此进步LED芯片的可靠性至关重要。蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定芯片,因此会产生夹痕。黄光功课若显影不完全及光罩有破洞会使发光区有残余多出的金属。晶粒在前段制程中,各项制程如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等功课都必需使用镊子及花篮、载具等,因此会有晶粒电极刮伤的情况发生。6 _$ f1 X h; R& A1 ^4 a
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芯片电极对焊点的影响:芯片电极本身蒸镀不牢靠,导致焊线后电极脱落或损伤;芯片电极本身可焊性差,会导致焊球虚焊;芯片存储不当会导致电极表面氧化,表面玷污等等,键合表面的稍微污染都可能影响两者间的金属原子扩散,造成失效或虚焊。
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05、新结构工艺的芯片与光源物料的不兼容- G* f$ n( L$ N/ Y" v% S0 {' H; G
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新结构的LED芯片电极中有一层铝,其作用为在电极中形成一层反射镜以进步芯片出光效率,其次可在一定程度上减少蒸镀电极时黄金的使用量从而降低本钱。但铝是一种比较活泼的金属,一旦封装厂来料管控不严,使用含氯超标的胶水,金电极中的铝反射层就会与胶水中的氯发生反应,从而发生侵蚀现象。6 ] W9 E7 p# b6 t$ L7 P, h
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