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安森美半导体针对便携和无线音频应用推出业内最小封装低压模拟开关
( d3 X+ ~3 h/ M4 b; T/ b新型无铅超小6-引脚、10-引脚和16-引脚模拟开关采用1.2 mm2到4.7 mm2板空间,比竞争产品节约高达70%的空间
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2006年1月18日 — 全球领先的电源管理解决方案供应商, 安森美半导体(ON Semiconductor, 美国纳斯达克上市代号:ONNN)针对便携和无线音频应用,推出了三种新型低电阻模拟开关。这三种6-引脚、10引脚和16引脚器件采用无铅薄型QFN/薄型DFN封装,占用板空间1.2 mm2 到4.7 mm2,是业内体积最小、性能最高的音频模拟开关。+ c' k2 J5 P; A
4 h8 f" j Y2 Z# {安森美半导体逻辑及模拟开关部总监Dan Huettl说:“空间受限便携应用的客户期望在引脚尺寸较小的封装内获得更高性能。安森美半导体新型模拟开关满足了客户的该项需求。客户反响非常积极。一些客户已经在其最新的手机设计中采用了该器件,而且正投入量产。”: `0 N" i( r3 U# l
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高性能音频器件:! v# h- C+ U- F' [6 ]% O9 }( p
这三种新型高性能音频模拟开关为低工作电压的便携和无线应用中音频信号大电流开关而设计,适用于要求导通电阻(Ron)小的较大功率音频应用,以提高功率效率 。目标应用包括手机、掌上电脑和MP3 播放器。( m @- V8 j% I1 w& ~
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NLAS3799MNR2G是低压、超小Ron的双双极双掷(双DPDT)开关。它的总谐波失真为0.11%,Ron低至0.35欧姆,可获得优越的音频性能和超低功耗。另外,NLAS3799LMNR2G (低压逻辑型号)支持1.8V输入偏差。这些器件采用无铅16引脚薄型QFN封装,尺寸为2.6 mm x 1.8 mm x 0.75 mm,占据的板空间比同类竞争产品小48%,每10,000件的批量单价为0.97美元。* o. p( d& V8 |9 n
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NLAS5223MNR2G是低压、超小Ron的双单极双掷(双SPDT)开关。该模拟开关提高了低Ron 性能,引脚尺寸比常用的NLAS4684MNR2G小70%。总谐波失真为0.12%,Ron低至0.35 欧姆,获得优越的音频性能和超低功耗。另外,NLAS5223LMNR2G的低压逻辑电平型号支持1.8V输入偏差。此类器件采用无铅10-引脚薄型QFN封装,尺寸为1.4 mm x 1.8 mm x 0.75 mm,每10,000件的批量单价为0.67美元。4 c; i4 b' }; {5 Q5 ]% X' K+ i
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NLAS5123MNR2G 是1 欧姆Ron、单单机双掷(单SPDT)模拟开关,总谐波失真为0.012 %,具有瞬时短路功能。此类器件采用无铅6-引脚薄型DFN封装,尺寸为1.2 mm x 1.0 mm x 0.75mm,占据的空间比竞争产品小53%,每10,000件的批量单价为0.56美元。
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关于安森美半导体 (ON Semiconductor)! _. }: f6 i3 k6 t9 B9 @/ f4 ?# x
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的电源半导体器件系列,是计算机、手机、便携设备、汽车和工业等市场应用的工程师、采购人员、分销商、及合同制造商之首选电源方案供应商。 |
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