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在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。 + k& ~# @" G% T, E3 \- L
1．"型号"栏 / z1 z5 m% L( H# A" q6 A
表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。
+ C6 N" L) H; w* C7 k( u) V7 ?( L n 2．"厂家"栏
( u+ }. a, @+ U, B) y) P; K 为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。） & z4 r1 u% L6 \+ d
所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下： # e8 t1 z, z3 y* ~# N: y3 G
; e' m" X, |' T. e. u8 @2 E( t
ADV 美国先进半导体公司
! Q5 r* W$ f$ A) r h( O8 {" kAEG 美国AEG公司
! O( ]( ^8 @" l; ]/ ?# s$ X) [AEI 英国联合电子工业公司
# k/ _7 e" K; `8 I9 ~AEL 英、德半导体器件股份公司
# `+ a8 ] l! |, ~ALE 美国ALEGROMICRO 公司 % C8 M: s1 X/ ~4 ]) \2 d) C; s0 r; c
ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司
8 p |* [: v$ x) Q9 a! Z1 @" Z8 NAME 挪威微电子技术公司 . C8 ?1 \) R& w/ ?
AMP 美国安派克斯电子公司 ; {4 X; K8 h! Q! C7 b1 f
AMS 美国微系统公司 - k! e9 Z: N: t4 M5 H+ F
APT 美国先进功率技术公司 : y3 P8 a2 f1 F/ X
ATE 意大利米兰ATES公司 0 @7 W8 G2 N7 K x
ATT 美国电话电报公司
8 [6 s9 o( H: v* Z( oAVA 美、德先进技术公司 1 C5 v- r. a) E9 @" L( {4 ]7 N& A
BEN 美国本迪克斯有限公司 6 Z3 Q6 b" i9 n) N$ u' k
BHA 印度BHARAT电子有限公司
6 j6 L' v2 L y" ]( nCAL 美国CALOGIC公司
% H4 ~0 q8 K+ `CDI 印度大陆器件公司
( e1 [+ f' H K3 Q0 kCEN 美国中央半导体公司 ! U8 }" _; f0 V4 V C; b- H, V6 p
CLV 美国CLEVITE晶体管公司
3 ]; d% c% m0 U" q6 vCOL 美国COLLMER公司 ) F/ w! H4 k/ p& m4 y
CRI 美国克里姆森半导体公司 0 S P5 [9 j% V. R8 y( ^
CTR 美国通信晶体管公司
. g" g) h+ z6 y7 O' v$ M2 UCSA 美国CSA工业公司 $ ]7 W$ @3 H! `& Z
DIC 美国狄克逊电子公司
# p( j) ^+ R+ g% VDIO 美国二极管公司
0 C) ~+ [# b- N! }) QDIR 美国DIRECTED ENERGR公司 2 I- P( Q/ w& @7 q8 d4 S7 \3 F& ]5 p6 F
LUC 英、德LUCCAS电气股份公司 ! g* ^/ B# p! y2 y! O& `
MAC 美国M/A康姆半导体产品公司 8 E6 c, N5 |' p7 K$ q6 B
MAR 英国马可尼电子器件公司 % u$ `5 q, G8 i4 m2 g5 b( J5 j
MAL 美国MALLORY国际公司 1 Z- Q7 n3 G; H3 F1 y% Y
MAT 日本松下公司 3 l( b$ Y* `9 r
MCR 美国MCRWVE TECH公司 4 ~. D& {- X S) E9 a3 {; r$ F$ t
MIC 中国香港微电子股份公司
( @* A( f# m- V1 j( _, v2 s8 W8 UMIS 德、意MISTRAL公司
8 H! n! ^( D: k* m# x- s/ |MIT 日本三菱公司 9 R5 A2 m8 x; v( z3 R7 n
MOT 美国莫托罗拉半导体公司 + t% k* S7 G3 d* n* H
MUL 英国马德拉有限公司 $ T$ y( p9 N; k( _- ?
NAS 美、德北美半导体电子公司 0 n8 L4 N1 W* C/ d1 r, A
NEW 英国新市场晶体管有限公司
( R8 i% F- y1 [9 x. HNIP 日本日电公司 2 @# G8 m+ ^9 r9 B* m, `
NJR 日本新日本无线电股份有公司 Z: n) g; r/ J8 }. d/ B( U
NSC 美国国家半导体公司
4 X7 h+ h) e9 e/ D- w# _8 t3 BNUC 美国核电子产品公司 9 I$ z8 a& u% _$ o. `6 ^
OKI 日本冲电气工业公司 + v$ [1 S# g* D4 R
OMN 美国OMNIREL公司
3 o# q3 D4 m0 I" XOPT 美国OPTEK公司
5 B: s5 Y; [' R# I" t" t9 |0 ]ORG 日本欧里井电气公司 4 V. s1 [' t E7 V
PHI 荷兰飞利浦公司
E5 z0 r: }' r/ QPOL 美国PORYFET公司
6 O$ H) E) }) k+ g9 JPOW 美国何雷克斯公司
" a% b8 U O$ ^ C: L( w- S$ D/ PPIS 美国普利西产品公司 8 a9 N: C5 D/ u% b7 j3 z/ W% m
PTC 美国功率晶体管公司
7 X# X! p6 V) u( ~' G. vRAY 美、德雷声半导体公司
% H( M9 k: L' d c6 [REC 美国无线电公司 $ O0 U% h# b1 \4 U M
RET 美国雷蒂肯公司 / [2 @9 Y8 U R1 n
RFG 美国射频增益公司 8 q& x ]* c7 v/ A1 x! e1 N/ c
RTC 法、德RTC 无线电技术公司
6 m3 z# b& p: R& h# b$ qSAK 日本三肯公司
0 r8 J; _! I8 \6 { i; QSAM 韩国三星公司
1 V8 J# }8 q6 o0 B# GSAN 日本三舍公司
, N/ s. ^0 G; m+ R& YSEL 英国塞米特朗公司 DIT 德国DITRATHERM公司
' U* ~* b, t0 t) ~" P6 n7 zETC 美国电子晶体管公司 ( u6 L. T( t; h2 P. ?
FCH 美国范恰得公司 + z' W: J9 n& |% W
FER 英、德费兰蒂有限公司 : X' C, F" I% ~" J7 c
FJD 日本富士电机公司
- `: J& l; O( f4 _0 g" S6 `3 ~% @FRE 美国FEDERICK公司 8 ]5 J1 {; ~5 a8 w) e
FUI 日本富士通公司 % e! M# N8 r& O; B3 J, ]
FUM 美国富士通微电子公司 3 H( Z$ s' _) L( R5 R2 z
GEC 美国詹特朗公司
8 g) {. f- \; h& W4 R7 `GEN 美国通用电气公司
$ o) i( Y1 g. e1 c( x: Y$ o8 _GEU 加拿大GENNUM公司 % G @" v$ m! k
GPD 美国锗功率器件公司 " l7 v$ a5 e! e$ c) ?- G
HAR 美国哈里斯半导体公司
; {6 E7 p5 W. i8 iHFO 德国VHB联合企业
! o! D! q& s) k5 m6 s/ {! X" R! qHIT 日本日立公司 6 t! N4 E6 x& p, U3 @9 [8 |
HSC 美国HELLOS半导体公司 8 Z8 I% z& U4 A* ?7 w4 B1 K
IDI 美国国际器件公司 & B# W, N, t$ s- V$ i
INJ 日本国际器件公司
3 o ?3 v Z1 ]% n' k2 GINR 美、德国际整流器件公司
& L# |" g1 i* u6 dINT 美国INTER FET 公司
' L, w/ n9 l# L& C& D7 k. {1 X( L& {IPR 罗、德 I P R S BANEASA公司 W/ j2 J( M7 \ n" W
ISI 英国英特锡尔公司
' Q. V& |3 O. R# Z% R; s, aITT 德国楞茨标准电气公司
5 U% _/ Q, d1 r! o$ P3 e! uIXY 美国电报公司半导体体部 7 E4 e1 p9 B' A @; ]/ ]
KOR 韩国电子公司 # K8 w" M/ s) A0 p
KYO 日本东光股份公司
2 G* N b1 _, }LTT 法国电话公司
3 R4 E/ P7 W/ Y" z2 iSEM 美国半导体公司
* I5 y3 r8 i& o) m, |SES 法国巴黎斯公司
3 ]3 e" C4 k) [4 T4 v! z/ zSGS 法、意电子元件股份公司 # b. [% i3 T: O# v4 p' d) N' P
SHI 日本芝蒲电气公司 % u9 \. e& _1 K, F
SIE 德国西门子AG公司 1 w: v, Z) U* l1 p' Y
SIG 美国西格尼蒂克斯公司
" Z! P- B0 E3 c* uSIL 美、德硅技术公司 8 K. m3 H$ h6 e
SML 美、德塞迈拉布公司
( U7 S* L" a6 L, n8 _2 a7 L1 iSOL 美、德固体电子公司 7 \2 y8 v% A) G5 @: X
SON 日本萦尼公司 ) a4 {7 w3 x) e0 T% A6 Y" h
SPE 美国空间功率电子学公司 : [% h# Q3 Y& b2 L M5 K/ S
SPR 美国史普拉格公司
8 f; G. V6 C3 K' O9 t1 L3 V2 O5 y- ASSI 美国固体工业公司 4 b) u( Y4 r8 k
STC 美国硅晶体管公司 - e5 V S7 A5 Z( q! a" P7 j! l' O
STI 美国半导体技术公司 ' @. W; E, [/ Z/ {
SUP 美国超技术公司
5 J5 E! s! c7 j6 g7 ZTDY 美、德TELEDYNE晶体管电子公司
+ Z- }) M- v7 V# G+ OTEL 德国德律风根电子公司
% I: x0 J! n) |TES 捷克TESLA公司 / }9 e$ d- W/ {8 b" F8 r
THO 法国汤姆逊公司 * O9 p% H* U" t1 o4 _( p5 n+ x* q
TIX 美国德州仪器公司
' r7 `" F1 b( h9 j7 H' q/ _5 S8 mTOG 日本东北金属工业公司 : h, s: `% ~3 i( U0 X0 _+ r
TOS 日本东芝公司
- [* n( N& \7 g2 Z% e" C! N9 RTOY 日本罗姆公司 c% W/ u' k, ]8 I
TRA 美国晶体管有限公司
( R; T' D& t$ L" Y% aTRW 英、德TRN半导体公司
& l7 e' r- c v' G( A' G* uUCA 英、德联合碳化物公司电子分部 - P- _* ]! { ?) a! @
UNI 美国尤尼特罗德公司
' G5 l; E$ ~. S: i8 h0 eUNR 波兰外资企业公司
! h: K' j2 L- A' V2 y2 t; k* F; @0 MWAB 美、德WALBERN器件公司
- B8 X$ C- i( W) R$ C/ {6 MWES 英国韦斯特科德半导体公司 1 {* [" r: @- Y" A8 l$ C
VAL 德国凡尔伏公司
8 j7 `, g( x, T( n4 XYAU 日本GENERAL股份公司 5 e+ |4 F$ H+ }, i, ^+ n
ZET 英国XETEX公司 / [/ E9 i: }% \ @- N
. c" }& G+ Z" [! e$ E% x4 [
/ F+ t* ]. D7 p* X3．"材料"栏 8 X7 k* a3 P& Z; L8 y9 ?2 H! u* X
本栏目注明各场效应晶体管的材料和极性，没有注明材料的均为SI材料，特殊类型的场效应晶体管也在这一栏中说明。
! }; T% K7 J' ~ 其英文与中文对照如下： 2 U2 c' ~' S; J4 p- D; |
N-FET 硅N沟道场效应晶体管 ( k1 g) l1 L! W8 a; O U2 H
P-FET 硅P沟道场效应晶体管 ]+ d9 w7 i1 g: c$ `* E: x
GE-N-FET 锗N沟道场效应晶体管 ( F' ~2 Q2 ~! B1 L
GE-P-FET 锗P沟道场效应晶体管 # F' _& v0 |8 k/ ?7 a* |
GaAS-FET 砷化镓结型N沟道场效应晶体管
% i* H* h) d9 c" _7 W9 E SB肖特基势垒栅场效应晶体管
6 l8 A0 z" Z: }6 Y% x+ A7 F MES 金属半导体场效应晶体管（一般为N沟道，若P沟道则在备注栏中注明）
& x; [. m9 t4 G# [$ a1 O HEMT 高电子迁移率晶体管
# P) j c/ I1 ]. D SENSE FET 电流敏感动率MOS场效应管
, @( b0 F/ f0 V1 J& j, {$ |, a SIT 静电感应晶体管
1 Q, n9 b/ ?& ?- G/ \( Z IGBT 绝缘栅比极晶体管 2 D7 p9 M, x! n" C" W
ALGaAS 铝家砷
3 d% ?6 K4 K# A# p( J4 z& v' }- @3 \% y M% X4 i/ t- Q1 a0 x& j# S
4．"外形"栏 & P- K: A) \. j) h8 n: V
根据本栏中所给出的外形图序号，可在书末的"外形与管脚排列图"中查到该型号场效应晶体管的外形与管脚排列方式，但不考虑管子尺寸大小。注明"P-DIT"的为塑料封装双列直插式外形，"CER-DIP"的为陶瓷封装双列直插式外形，"CHIP"的为小型片状，"SMD"或"SO"的为表面封装，"SP"的为特殊外形，"LLCC"为无引线陶瓷片载体，"WAFER"的为裸芯片。
5 q5 Z: D+ l0 u- d
7 [' g# c: w0 w& F" B5．"用途与特性"栏
! Z" A" @) Z# f8 P' ? 本栏中介绍了各种场效应晶体管的主要用途及技术特性参数。对于MOSFET增加了MOS -DPI表示增强型金属氧化物场效应晶体管或者MOS-ENH表示增强型金属氧化物场效应晶体管，没有注明的即结型场效应晶体管
, ~; T# O/ J0 u; A+ i: X- ]
/ x' M9 G& n7 I" Y2 T: _. H2 {- K其余的英文缩写与中文全称对照如下： 1 K: B# t. T, ?* _2 ]
5 q/ \; W, p, k
) ]2 G L0 W0 N' ]$ s
A 宽频带放大 ! \# N. M: i1 G4 o; [! v3 ^, g
AM 调幅
j5 G( S E2 E. i1 YCC 恒流 2 B9 y. V) s3 |/ R% r
CHOP 斩波、限幅 1 z; v: w0 i4 b( x! Z3 e
C-MIC 电容话筒专用
$ c5 c8 n3 B- d9 N2 v; ]D 变频换流
4 y. h, I( Q" D" i/ A% H* gDC 直流 - l5 {' b( x- u7 F+ p) L" Y% E# E
DIFF 差分放大 / E5 K7 V$ E+ v7 c/ K H% M5 F" d
DUAL 配对管
; s0 J- d0 q3 ?# QDUAL-GATE 双栅四极 $ }+ e+ c% X- d( e3 o7 R
FM 调频
5 H4 n4 T+ M5 \5 _GEP 互补类型 ! w3 q+ ]2 P; K* C
HA 行输出级 + f4 |8 I" y' z O6 e
HF 高频放大（射频放大）
5 v9 R0 k# M; _! L9 d. F$ UHG 高跨导 5 e, k/ H6 W! W8 Q
HI-IMP 高输入阻抗 0 H2 u% O: P# b$ \ u9 Q# o2 ^1 j
HI-REL 高可靠性 # q+ Z7 c/ U& p. j: P" G) q
LMP-C 阻抗变换 6 j$ P0 o3 ^1 b
L 功率放大 . x- N. A& H6 ]% y. F
MAP 匹配对管
- F. w8 R# |+ [8 M! {5 ^8 ?MIN 微型
! O! I4 v% m8 U) K P' T2 }MIX或M 混频 : F- m8 N+ R- `+ }
MW 微波
0 A# h" ?8 r+ O3 Y/ Y! PNF 音频（低频） O 振荡
& }; l7 I( p3 q3 ^ b- z9 ^S 开关 ; L3 D# z |4 Y! y' ~3 f
SW-REG 开关电源 7 P0 y( y! K+ [6 a; C4 o/ M
SYM 对称类
4 \% H7 P v/ e& C9 R4 E \TEMP 温度传感
' n1 @4 G/ X4 {TR 激励、驱动 * n' ] T d# |7 C
TUN 调谐 " O7 x* a& t3 X2 l# L T! Z8 I
TV 电视
7 u0 H1 M6 l9 C! f% [$ zTC 小型器件标志
t) D ^9 W- q" \& ?UHF 超高频 6 ^ s- Q2 H( `% u
UNI 一般用途
9 D7 V7 A& @! {8 j vV 前置/输入级
+ M0 g0 C* D7 n/ A1 P7 TVA 场输出级
! a! |1 X0 e0 v2 \8 l$ M/ BVHF 甚高频 9 J9 ]8 `2 C1 B; x$ e
VID 视频
+ m; o& r; s( [# A& Z3 @; TVR 可变电阻 # J j/ v8 h0 n" X3 Y
ZF 中放 \ d& a1 ~' @1 T j6 k& c
V-FET V型槽MOSFET 5 L' D1 a' A$ c* |9 c3 M. W; m& g$ {' ^
MOS-INM MOSFET独立组件
. a; b: A# n0 }7 }1 {' W zMOS-ARR MOSFET陈列组件
1 o: }1 E# X! p/ L, N9 DMOS-HBM MOSFET半桥组件
( ^7 n# p* Y G' i3 BMOS-FBM 全桥组件
6 q9 H2 G* |, F( iMOS-TPBM MOSFET三相桥组件 7 h, \2 F5 i! Y' r, G6 ]* _5 x
X, {( _6 w3 z# ]: d e+ p2 A 8 g5 L9 Q, [# ^, ?) M, I3 X% x
3 S; w" j" Q0 ?9 A+ Z G
技术特性参数列出极限参和特征参数，其中电压值：结型场效应晶体管为栅极间极电压Vgds或Vgdo,MOS场效应晶体管（含MES、HEMT）一般为漏极-源极间极限电压Vdss,IGBT晶体管为集电极发射极间极限电压（基极和发射极短路）V(br)ces ;电流值：耗尽型（含结型）为最大漏极电流Idss,增强型为漏极极限电流Id，IGBT晶体管为集电极最大直流电流Ic；功率值：一般为漏极耗散功率Pd，高频功率管有的列出漏极最大输出功率Po，IGBT晶体管为集电极耗散功率Pc，单位为W或DBM；场效应管高频应用的频率值：一般为特征频率Ft,有的为最高振荡频率FO；开关应用及功率MOS场效应管电阻值为漏极-源极间的导通电阻Rds，记为Ron，单位Ω；开关时间："/"(斜线)前为导通时间Ton , "/"后为关断时间Toff,部分开关时间为上升时间Tr，和下降时间Tf，IGBT晶体管"/"斜钱前为延迟时间与上升时间之和td+tr, "/"后为下降时间TR；低噪声的噪声特性参数用噪声系数NF（DB）或输入换算噪声电压En（VN）表示；对于对管列有表示对称性参数的栅源短路时的漏极电流之比⊿或栅源电压差⊿VGS或栅极电流差⊿JG；跨导值：表示放大能力的参数，多为最大跨导GM，单位MS（毫西门子）；栅泄漏电流值：表示输入阻抗特怕的能数，记为IGSS，单位NA或PA；夹断电压：表示关断行断特性的参数，记为VP,，单位V。
2 e% n% Y9 g) L' ? j7 [" }: p5 [) W0 S
6，" 国内外相似型号"栏
8 }7 r! f! i0 j9 X% l4 [; i 本栏列出特性相似，可供代换的世界各国场效应晶体管型号，含国产场效应晶体管。这些型号的场效应晶体管一般都可以代换相应第一栏（"型号"栏）的场效应晶体管。这些管子多数可直接代换，但有个别型号的场效应晶体管因外形或管脚排列不同，不能直接代换使用，须加以注意。不过，这些场效应晶体管的主要技术能数与被代换场效应晶体管都比较接近。 , _+ G) q* l; ^7 [& N( Y
这一栏里还对一些特殊的特性、参数以备注的形式进行说明。其中KOMPL（有时排印为KPL.）后的场效应晶体管为第一栏晶体管的互补管。注明INTEGR.D.的表示管内含有复合二极管。对组件注有XN中N 为组件中的器件数目。 |
发表于 2004-11-7 02:57:00
