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通常的a-Si TFT主要由玻璃基板、栅电极、栅绝缘层、半导体活性层a-Si,欧姆接触层n+a-Si、源漏电极及保护膜等组成,其中栅绝缘层和保护膜一般采用SiN。 ( e- O+ i( t r4 o1 [5 i
a-Si TFT 的结构可分为四种典型结构:源、漏、栅三电极位于半导体活性层a-Si同一侧的平面结构,其中源、漏、栅三电极位于a-Si层上侧的称正栅平面结构,源、漏、栅三电极位于a-Si层下侧的称倒栅平面结构;源、漏、电极与栅电极位于a-Si层两侧的交错结构,其中栅电极在a-Si层上侧,源、漏电极在a-Si层下侧的称正栅交错结构或顶栅结构,栅极在a-Si下侧,源、漏电极在a-Si层上侧的称倒栅交错结构或底栅结构。
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从制造工艺上看,交错结构的SiN,a-Si和n+a-Si三层(或其中二层)可以连续淀积,适合流水作业,又可减少交叉污染。现在,交错结构已成为主流,它不仅对a-Si,SiN。n+a-Si可连续作业,而且倒栅还可以作遮光层(不需另设遮光层),这对a-Si TFT是重要的,因为a-Si对光敏感,一旦有光流入引起漏电流增加,将会导致像质恶化。 |
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