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[电子] 集成电路

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Alesis 发表于 2006-8-5 03:46:00

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集成电路
2 G* n5 |- u, {; R& n5 ] 8 A6 A7 `- Z2 {% a, V
一、概述# v8 u9 |7 @( j% }
   集成电路(integrated circuit,港台称之为积体电路)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,这样,整个电路的体积大大缩小,且引出线和焊接点的数目也大为减少,从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。
4 k5 w' _- }  ?; F! E( ?   集成电路具有体积小,重量轻,引出线和焊接点少,寿命长,可靠性高,性能好等优点,同时成本低,便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用,同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备,其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍,设备的稳定工作时间也可大大提高。
+ e: ?6 g1 ~, r/ s   它在电路中用字母“IC”(也有用文字符号“N”等)表示。1 r" C3 E% J- e- @1 }
二、集成电路的分类  n- o% l( I: T
   ' e, _4 }# d! W- P$ ~( V# k
   (一)按功能结构分类( ~6 ~6 y$ i3 Z, D0 H
   集成电路按其功能、结构的不同,可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。6 s8 n- U$ U$ j) S1 m, R( P
   模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号(指幅度随时间边疆变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等),其输入信号和输出信号成比例关系。而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号(指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如VCD、DVD重放的音频信号和视频信号)。$ T. C3 c/ {, {" h, M4 v9 `
   (二)按制作工艺分类
% a+ @9 }5 S1 h8 M; c1 t/ S   集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和薄膜集成电路。2 T/ `. |+ g; |
   膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。
1 l+ u/ K/ S* _+ @   (三)按集成度高低分类
( V8 t4 S! w* U2 |! P   集成电路按集成度高低的不同可分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路。- ^: Y$ G9 f$ e: b; k% F5 D8 p
   (四)按导电类型不同分类- n9 }, ?1 K$ [3 u' r; _" x
   集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路,他们都是数字集成电路./ L4 O2 F0 F" l. n9 |
   双极型集成电路的制作工艺复杂,功耗较大,代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单,功耗也较低,易于制成大规模集成电路,代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。
3 ~, R$ J% x" P- E" F7 [) d5 X   (五)按用途分类
# i3 `; j8 ~. M& v* e; C) U; ]2 F   集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑(微机)用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。, O) d$ M1 Q$ c% U+ v) m( E. ^
   1.电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器(CPU)集成电路、存储器集成电路等。8 p* R' _% y# T2 s4 n2 m
   2.音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路,电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集成电路等。; n! _- c& p7 q% c
   3.影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、MPEG解码集成电路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电路、RF信号处理集成电路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集成电路等。, v# X5 Q" m  r, x! M9 v
   4.录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路。* d6 _8 h3 i' D! j! ]# c
   (六)按应用领域分
- h  x; h& N7 @- `   集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路。
/ m; h( k4 @+ C8 ?: i; }; q+ i   (七)按外形分
1 G! ]+ {0 P+ q0 W* K, X. X   集成电路按外形可分为圆形(金属外壳晶体管封装型,一般适合用于大功率)、扁平型(稳定性好,体积小)和双列直插型.
) ]+ F' l! q# j三、集成电路发展简史
2 }, v/ u4 Y* z! m* k6 R' @   1.世界集成电路的发展历史& I+ Y+ E" m3 U. Q
    1947年:贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑;
7 ]! _  F8 N7 f$ `+ k" Z- L4 g( C! c& n   1950年:结型晶体管诞生;5 |/ \) H. s4 [: Y
   1950年: R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺;
6 _# [) J& O) C5 y! ~' r   1951年:场效应晶体管发明;8 r: o# Y0 w% P# H7 W+ {" h# [
   1956年:C S Fuller发明了扩散工艺;; S  n2 e' ~% [% r
   1958年:仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史;
4 J( g9 i1 Z6 c# R( P   1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺;& ~9 y5 m4 t4 r7 u) u/ q9 f+ \
   1962年:美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管;
' u9 }" V8 C" J4 [/ q/ A   1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺;$ R8 N/ h, i- O: F* g
   1964年:Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍;. Z5 ~9 [+ Y' `# |% g7 ?! C2 }
   1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门);, u% ?; E5 K& v% \' R, T3 V
   1967年:应用材料公司(Applied Materials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司;7 ~" R1 s1 D" A
   1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现;
( l& W, ~. O) Z4 I" `   1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明;
3 B' L8 b2 a6 b* D) t4 m8 H   1974年:RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802;
* A' h- D# {. K   1976年:16kb DRAM和4kb SRAM问世;
- T5 s7 B! O. H9 R9 h( j0 t- _) e   1978年:64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临;9 j* i) o6 I% H% Y5 s: R6 }
   1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC;
0 i4 ?, H( V# H$ c6 l! L   1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世;  w# H0 m! T5 ?5 W& l
   1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM;
1 ?* ?$ S( U8 B' S( W   1985年:80386微处理器问世,20MHz;: p9 k: o1 j6 y9 L0 ^1 v* N, r
   1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(ULSI)阶段;$ {# }9 I" q. w3 ~; a
   1989年:1Mb DRAM进入市场;4 z0 z6 y* H5 m4 }3 l- R
   1989年:486微处理器推出,25MHz,1μm工艺,后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺;* j" b+ d5 f+ Y2 ^
   1992年:64M位随机存储器问世;3 \; W9 x/ S4 ~
   1993年:66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺;
1 O, H5 N; V) u) x8 t( o$ f0 @$ z( p   1995年:Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35μm工艺;
% e% M& ^! ^2 P8 K7 [% D1 W% A& C   1997年:300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺;1 h, q; G2 V  H/ g& w+ ~
   1999年:奔腾Ⅲ问世,450MHz,采用0.25μm工艺,后采用0.18μm工艺;
3 r4 [  k( K; C% Y4 l1 g! C* d' _   2000年: 1Gb RAM投放市场;
* T# J; P) s8 u* P( L1 V' S   2000年:奔腾4问世,1.5GHz,采用0.18μm工艺;
6 I* s9 u8 G9 [& b, i! s& ]. F! E   2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。
, u2 l4 y8 r/ X3 Q7 E2 D   2.我国集成电路的发展历史3 ?' j4 N4 e- V, N9 u/ L
   我国集成电路产业诞生于六十年代,共经历了三个发展阶段:
4 ^+ G0 m1 M9 ?& D9 ~# j   1965年-1978年:以计算机和军工配套为目标,以开发逻辑电路为主要产 品,初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件;
- a5 U- b: S' r- }% ?   1978年-1990年:主要引进美国二手设备,改善集成电路装备水平,在“治散治乱”的同时,以消费类整机作为配套重点,较好地解决了彩电集成电路的国产化;
. {1 i6 o. h7 {$ |3 q/ P3 }   1990年-2000年:以908工程、909工程为重点,以CAD为突破口,抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设,为信息产业服务,集成电路行业取得了新的发展。
 楼主| Alesis 发表于 2006-8-5 03:47:00
四、集成电路的封装种类, ]) l  V7 y' h1 s
   1、BGA(ball grid array)
- L# @2 ^5 B# S* h4 t   球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有 可 能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在 也有 一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为 ,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。 美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见OMPAC 和GPAC)。
8 \6 |& H9 |  y- z; L/ T   2、BQFP(quad flat package with bumper). v1 p7 d% |9 R8 K
   带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中 采用 此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
( N( r" A0 n* [3 V; y   4、C-(ceramic)
5 [4 p+ A$ x" F' N& h. b) D   表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。+ X+ ~  p4 S* Y7 ?5 f
   5、Cerdip
3 j/ a: k9 V* h   用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距2.54mm,引脚数从8 到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。
" H) `- v" s' a. V; K   6、Cerquad
3 G- y3 s! H$ ^4 I- q. p   表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗 口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1. 5~ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3~5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。
. `9 I. v& v# E; ^0 R2 ]6 t   带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见QFJ)。
% ?) D" }2 e, e   8、COB(chip on board)2 O7 u* e# a, p0 H& f/ P: `/ i- n& s
   板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与 基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。9 O) ], [, u1 n- \7 i$ p' [
   9、DFP(dual flat package)
0 w! H8 y* l( ]; Z( D+ }. b* Q6 W   双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。
" M& F! S! P" B   10、DIC(dual in-line ceramic package)4 `8 ]: X) P% V& y& z" V' F
   陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).1 a* B  N8 R# X/ |( z% m+ g
   11、DIL(dual in-line). B: v8 }) @( I" x2 f
   DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。1 g  }: ?4 Q6 _& e- m( U
   12、DIP(dual in-line package)) e8 b2 d! g' J/ H) x
   双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。 引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加 区分, 只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。, V( i: h& q1 }, g- `& {* Q/ w
   13、DSO(dual small out-lint)
# c# e% w# s0 [   双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。  ~/ ?! c, b9 y, Q; A" O: q
   14、DICP(dual tape carrier package)0 H7 @7 z* A. a1 F1 R) @" I; g
   双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为 定制品。 另外,0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机 械工 业)会标准规定,将DICP 命名为DTP。
  V- ^. v, g! M- Q   15、DIP(dual tape carrier package)
4 p. K" }7 q2 y! S  H2 ~   同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
/ J* e* q% k5 t* }   16、FP(flat package)
7 L7 K: g  E3 P, |1 D6 U   扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。! C- |) S9 ~" ?9 F
   17、flip-chip" |; s: N" F  @* d
   倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸 点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
' |9 W5 G" z7 z% \- U# V) |! v   18、FQFP(fine pitch quad flat package)
. z/ A7 P% X& y  T   小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。8 h8 w  h  k% c+ u3 x; R
   19、CPAC(globe top pad array carrier)- k' w$ O" G6 O; g
   美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。
2 ]0 }- _/ n! j# L( J+ J: s   20、CQFP(quad fiat package with guard ring)# g2 {& g4 k* f; b  F$ g9 c
   带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变 形。 在把LSI 组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208 左右。9 n9 v5 e; n0 T' ~/ q7 q
   21、H-(with heat sink). N8 P9 W. `/ n8 ^3 W6 M5 U6 {
   表示带散热器的标记。例如,HSOP 表示带散热器的SOP。
: k/ x' V  g9 L" o7 ?   22、pin grid array(surface mount type)
4 \) Y0 i0 X7 ~# D   表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA 小一半,所以封装本体可制作得 不 怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
1 q2 |7 [0 L7 I5 B, q$ q4 L+ R   23、JLCC(J-leaded chip carrier)
7 d5 W. z- c' [4 G   J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半 导体厂家采用的名称。* O! }( t) c0 @4 |
   24、LCC(Leadless chip carrier): ]- e9 j7 ]6 _: x4 w
   无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频IC 用封装,也称为陶瓷QFN 或QFN-C(见QFN)。
' ^( q# t0 X1 C   25、LGA(land grid array)
1 ]! B3 O2 Z7 R+ m" I   触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻 抗 小,对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。
: C- r: F* F7 c/ u6 k% V   26、LOC(lead on chip)
# b6 d7 }0 v% p   芯片上引线封装。LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片 的 中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
* B  p9 M( A" G: y* g- y   27、LQFP(low profile quad flat package): b% _6 Q: ?- A
   薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。
. l0 s+ d+ C, `) s   28、L-QUAD3 I8 t" P3 N- C4 |
   陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8 倍,具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装, 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装,并于1993 年10 月开始投入批量生产。
. P7 T. {" s& F+ B- C4 L" I! i   29、MCM(multi-chip module)( q6 v# p& }" E1 v
   多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大类。 MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低 。 MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。+ m2 s8 o2 \) ]8 K7 ^
   MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。 布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。
0 n$ p2 d* ~% `( |( [5 r   30、MFP(mini flat package)2 T& \. a& G  O
   小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。! c+ A" Y( \2 z% n/ t( |& h
   31、MQFP(metric quad flat package)
: r5 \9 x$ I( f2 s  ~   按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm~2.0mm 的标准QFP(见QFP)。
. a8 S/ t- D8 z4 o, D   32、MQUAD(metal quad)
1 ~! Z/ E" D. y8 ~   美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空 冷 条件下可容许2.5W~2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。
 楼主| Alesis 发表于 2006-8-5 04:10:00
33、MSP(mini square package)" ~+ d5 D' }2 Z! N; P
   QFI 的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。& b& ]1 m1 i7 z1 h1 ?- H, H
   34、OPMAC(over molded pad array carrier)7 w( q2 t( y" M
   模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。
! \) A: t4 u0 K* P   35、P-(plastic)
, x  o/ r, W8 @7 N9 O  o   表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。3 D0 ?, e6 O1 b' q, _/ a
   36、PAC(pad array carrier)1 H7 L  s9 }! V  _7 \; B9 l7 _
   凸点陈列载体,BGA 的别称(见BGA)。
+ c# ?5 [0 C( c1 R   37、PCLP(printed circuit board leadless package)  y# h' W; m3 ~
   印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引
6 a1 u) t; ]0 M5 C3 j+ z6 ]   脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。/ }$ D% a% @) K
   38、PFPF(plastic flat package)
4 A' n+ `2 l! W7 r! m. u+ V4 b' [; W   塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。
5 K9 _) j/ Q( |2 \4 g, L   39、PGA(pin grid array)% z, D7 ?1 B' Q7 d
   陈列引脚封装。插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都 采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下,多数为陶瓷PGA,用于高速大规模 逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从64 到447 左右。了为降低成本,封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64~256 引脚的塑料PG A。 另外,还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装 型PGA)。
3 a( s" X7 e0 ?' d   40、piggy back
& R5 W! o0 }3 n   驮载封装。指配有插座的陶瓷封装,形关与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设 备时用于评价程序确认操作。例如,将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是 定制 品,市场上不怎么流通。
3 V$ L. }3 O& x( R3 X( Q   41、PLCC(plastic leaded chip carrier)
4 q3 Y" V$ ~( [: W( J4 L   带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 , 是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用,现在已经 普 及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 到84。 J 形引脚不易变形,比QFP 容易操作,但焊接后的外观检查较为困难。 PLCC 与LCC(也称QFN)相似。以前,两者的区别仅在于前者用塑料,后者用陶瓷。但现 在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PC LP、P -LCC 等),已经无法分辨。为此,日本电子机械工业会于1988 年决定,把从四侧引出 J 形引 脚的封装称为QFJ,把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。
) K3 o2 [( w' Y   42、P-LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)0 |/ i# ~' ^3 l# `. E
   有时候是塑料QFJ 的别称,有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分4 M, O9 A) i& O9 M" K; c
   LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装,用P-LCC 表示无引线封装,以示区别。
# E5 L: G/ n4 z/ u( L+ d; v, c   43、QFH(quad flat high package)
! f% r8 P$ T- E2 \! H+ x2 G4 g" S' G   四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种,为了防止封装本体断裂,QFP 本体制作得 较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。1 B5 Z  ~4 C! n+ `: J
   44、QFI(quad flat I-leaded packgac)5 n& i  ^1 v6 {1 M: S2 G! g
   四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈I 字 。也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分,贴装占有面 积小 于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。此外,日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 于68。* {( o" n; Y& c: @3 [, J
   45、QFJ(quad flat J-leaded package)0 [+ K) k* j9 P  R
   四侧J 形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈J 字形 。 是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。
. A# E( N  u. ]. E$ M6 M   材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC),用于微机、门陈列、 DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18 至84。
9 T. V! b; c! N' ^7 w   陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及 带有EPROM 的微机芯片电路。引脚数从32 至84。6 }; Y% P( P# Z9 J
   46、QFN(quad flat non-leaded package)( k! {: t; [3 i7 ]& W5 i9 K
   四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点,由于无引脚,贴装占有面积比QFP 小,高度 比QFP 低。但是,当印刷基板与封装之间产生应力时,在电极接触处就不能得到缓解。因此电 极触点 难于作到QFP 的引脚那样多,一般从14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。) f6 p% a1 p5 S
   塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外, 还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P-LCC 等。
6 [; m. E. H# G4 B5 F7 B3 v   47、QFP(quad flat package)  C" }7 j2 }# e3 A* T
   四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一,引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有 陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看,塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时, 多数情 况为塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。不仅用于微处理器,门陈列等数字 逻辑LSI 电路,而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。) J  v; i/ \  }8 A. |7 [# t, j; B
   日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)。但现在日本电子机械工业会对QFP 的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别,而是根据封装本体厚度分为 QFP(2.0mm~3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。
3 B$ W" F/ \$ U- K0 c5 S   另外,有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP,至使名称稍有一些混乱 。 QFP 的缺点是,当引脚中心距小于0.65mm 时,引脚容易弯曲。为了防止引脚变形,现已 出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP);带树脂 保护环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP);在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专 用夹 具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。在逻辑LSI 方面,不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqa d)。
) g* L$ ^6 w" x$ X2 j* r5 w   48、QFP(FP)(QFP fine pitch): R% L- ~- ~- t
   小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。
' W4 ^7 W, Y& {6 ^   49、QIC(quad in-line ceramic package)* `; ^3 v* o" O  W" F' j+ p, O
   陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。
6 f* g0 ^5 n) x; ]8 _4 E   50、QIP(quad in-line plastic package)6 W; W& S! D- ]% |$ C
   塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。
$ n2 |" L  F1 m* e, ?, b$ ]% R   51、QTCP(quad tape carrier package)
0 \5 a3 b1 D. X   四侧引脚带载封装。TCP 封装之一,在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
7 \/ o! a  l' K/ A   52、QTP(quad tape carrier package)5 l* j. B/ g& a2 Y& k
   四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用 的 名称(见TCP)。
/ j4 E# U7 E# ~. j  
 楼主| Alesis 发表于 2006-8-5 22:13:00
53、QUIL(quad in-line)2 t/ _( \: e8 o7 T  c& g& g: ~* \
   QUIP 的别称(见QUIP)。
& O7 T( d" k' L* |* ~3 j; V$ ~   54、QUIP(quad in-line package)
* v8 J! h' i8 `' m7 [. B   四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出,每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚 中心距1.27mm,当插入印刷基板时,插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板 。是 比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采 用了些 种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。8 P2 N% u, M! L' Y: L# s
   55、SDIP (shrink dual in-line package)' \# y) q7 P  ?' i
   收缩型DIP。插装型封装之一,形状与DIP 相同,但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm),! x: ?& u0 R" f, i+ D
   因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SH-DIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。
$ M4 {0 C0 V% P" T   56、SH-DIP(shrink dual in-line package)
: Y8 j/ }. o! C0 E   同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。5 F+ G* `' W8 |" e; U6 }/ F. o
   57、SIL(single in-line)+ `7 c( b0 s/ V  {; j
   SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。
* `6 P. B7 {7 {& q/ a7 N   58、SIMM(single in-line memory module)
4 A: i& u/ F1 F1 ^2 i. u6 B   单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人 计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30~40%的DRAM 都装配在SIMM 里。
) o# j( Q" o! Z2 @5 k   59、SIP(single in-line package), w# P' J# I# W) G  b
   单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出,排列成一条直线。当装配到印刷基板上时 封 装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从2 至23,多数为定制产品。封装的形 状各 异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。
  u( c8 ?  l; {   60、SK-DIP(skinny dual in-line package)) V- J7 i. X& K7 e! D5 K, e
   DIP 的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP(见 DIP)。
# D) b- l: J. M; U) m8 c" J8 [   61、SL-DIP(slim dual in-line package); L8 ^9 ~3 S5 |4 o8 n# i, l: A8 M
   DIP 的一种。指宽度为10.16mm,引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP。
  ^# n. B  S* H7 [' L2 Z1 y   62、SMD(surface mount devices)$ t$ m" M/ U7 N& J2 Q: O; M
   表面贴装器件。偶而,有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。
. T2 ^+ v& W# K6 a4 h0 E( d   SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。, m% S( s2 U% U: ~3 G
   64、SOI(small out-line I-leaded package)
, P, F# J" p6 N6 l7 Q4 Y  {   I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形,中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26。9 S/ @: {) J( I& X
   65、SOIC(small out-line integrated circuit); E0 o* s% D2 T  [! a
   SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。
# h2 p- k2 V# r- J3 Z+ P5 Q/ t   66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)
/ x" f4 I. w+ ^4 }6 Z   J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形,故此 得名。 通常为塑料制品,多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路,但绝大部分是DRAM。用SO J 封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm,引脚数从20 至40(见SIMM )。! Q! F3 E9 D  {6 s3 \" C. s- n
   67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)8 n8 ^4 _% U; x7 {' `; B3 A3 B3 I
   按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。
  X; T0 E: d+ g  x" n" Z   68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)9 ~. `- b' i# v7 k! y7 s- x
   无散热片的SOP。与通常的SOP 相同。为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别,有意 增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。
2 l. R* s' a" a2 ^6 }3 |   69、SOP(small Out-Line package)
0 a$ x" r* T) \' K8 e   小外形封装。表面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷两种。另外也叫SOL 和DFP。: N0 u  K1 \, i7 S) _6 ^: l: N
   SOP 除了用于存储器LSI 外,也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不 超过10~40 的领域,SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从8 ~44。
7 o8 q+ k( U* s   另外,引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP;装配高度不到1.27mm 的SOP 也称为 TSOP(见SSOP、TSOP)。还有一种带有散热片的SOP。0 Z8 U  B7 c" |% D* B7 I9 P
   70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype))
# R% X: E: V3 f. T  _0 T6 _1 X$ o9 X   宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。
focusrite 发表于 2006-8-6 05:59:00
也来学习了
媚眼 发表于 2006-8-8 01:26:00
好文章,不错啊,点赞了,可以收藏学习了啊!~
飙风 发表于 2006-8-14 05:27:00

[原创]

顶~~~~~~~~~~~!<br/>
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