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[电子] 集成电路

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Alesis 发表于 2006-8-5 03:46:00

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集成电路
' u; a6 g6 A% n2 I# C, ^
2 Q) M0 J3 F  a. E6 t一、概述
. e) o  q" b* Z( E/ B   集成电路(integrated circuit,港台称之为积体电路)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,这样,整个电路的体积大大缩小,且引出线和焊接点的数目也大为减少,从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。/ |/ E5 k' w1 P: f$ ?
   集成电路具有体积小,重量轻,引出线和焊接点少,寿命长,可靠性高,性能好等优点,同时成本低,便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用,同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备,其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍,设备的稳定工作时间也可大大提高。
* r  F* t" Q+ L; W: ^$ n3 ~   它在电路中用字母“IC”(也有用文字符号“N”等)表示。, t8 K: S; p- u5 M. N7 k
二、集成电路的分类
2 q, \; ]2 B' y4 S  
6 k8 d3 Q5 B" i) e   (一)按功能结构分类
  b2 o3 m' g- B   集成电路按其功能、结构的不同,可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。
+ E4 c- E! ?6 L   模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号(指幅度随时间边疆变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等),其输入信号和输出信号成比例关系。而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号(指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如VCD、DVD重放的音频信号和视频信号)。  h3 h/ c" F+ c1 l4 B
   (二)按制作工艺分类
  S- l- s$ _8 M- `   集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和薄膜集成电路。. K% l2 p3 Z& f& g* H
   膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。+ q7 u0 Y# ?) |0 p$ ]6 o* [) r; q: s
   (三)按集成度高低分类
$ X' j) }0 k  A4 P   集成电路按集成度高低的不同可分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路。$ _8 H; {+ i2 H8 E
   (四)按导电类型不同分类
: F/ @: B  G1 A# p0 l4 k; l   集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路,他们都是数字集成电路.
; O! l3 F. \5 {5 F& c% z+ z   双极型集成电路的制作工艺复杂,功耗较大,代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单,功耗也较低,易于制成大规模集成电路,代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。
% T# P. |6 B5 x   (五)按用途分类
) z( Q$ t) J+ O. Y1 X1 c% z' l) \; h   集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑(微机)用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。7 g! d5 a' o" f" q# I. s$ V
   1.电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器(CPU)集成电路、存储器集成电路等。- U* o- F, E# u" f  h- M0 C
   2.音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路,电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集成电路等。
7 u5 V" U5 e( j" y- L   3.影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、MPEG解码集成电路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电路、RF信号处理集成电路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集成电路等。: x) \9 n' E* W$ m# }0 ?5 H. J' ]
   4.录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路。
6 H3 r7 C4 N$ Q6 o( N( {+ ?( T   (六)按应用领域分
" C2 Y% `8 f! i, o   集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路。# |. e( w# `6 ^" k
   (七)按外形分
  L- E) k- S( U8 d7 m& N2 M   集成电路按外形可分为圆形(金属外壳晶体管封装型,一般适合用于大功率)、扁平型(稳定性好,体积小)和双列直插型.2 s- M0 ^8 d1 F. s0 ^
三、集成电路发展简史
0 f% _7 C9 m7 p, |/ z  C) X. A   1.世界集成电路的发展历史- O8 [. c) E- W1 k
    1947年:贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑;
* L  g% m% O: X( ~) p" R: D  j: u   1950年:结型晶体管诞生;
* x( y: `( M) S# f4 N   1950年: R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺;
) A1 e1 ?3 y; P   1951年:场效应晶体管发明;
1 l5 z5 r9 Q: t: u% B   1956年:C S Fuller发明了扩散工艺;8 g+ H, y$ n, {/ H
   1958年:仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史;
( K, E) \/ l0 z+ J  t   1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺;* C  u( `* _; i) U7 K5 k- Q$ m
   1962年:美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管;
) m' S+ r  n+ ?) o   1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺;
2 d& D& p  i$ n4 P$ G3 l$ V( t   1964年:Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍;
, }8 F, i8 l2 J4 P1 F   1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门);7 g, {& ~6 |) ]2 m  F* q
   1967年:应用材料公司(Applied Materials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司;: B- u# B6 j: |, O2 \+ f8 H
   1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现;2 F0 r1 s( o" h3 u) ~
   1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明;& C# t" a" H  ?4 j. k4 F: }
   1974年:RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802;
) f" `; m0 W& l7 X) d5 x- a   1976年:16kb DRAM和4kb SRAM问世;
1 g" X- Q2 m! j2 X1 P4 Z   1978年:64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临;  S6 Z- \& S( M$ l: B4 f6 P* V5 L
   1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC;6 {. H/ q1 Z9 a3 r9 c* }
   1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世;- v/ E/ @- t3 ?$ J- A6 t
   1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM;
+ j. Y, w, x3 q: D; B   1985年:80386微处理器问世,20MHz;- J; t5 p8 ]8 f3 m2 p0 d5 F1 Q
   1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(ULSI)阶段;
; w& n0 G6 W) Q* K   1989年:1Mb DRAM进入市场;
; y. C1 Q0 p3 _  Z   1989年:486微处理器推出,25MHz,1μm工艺,后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺;" N! I6 b, V) C2 @; i
   1992年:64M位随机存储器问世;
  X5 k4 J) g% A& ]3 F, T- Y   1993年:66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺;; `) Y, `) n( B
   1995年:Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35μm工艺;2 Z, P8 t3 M; R7 ?" a
   1997年:300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺;
9 ?& f, u: Z3 q) s1 ~! q7 u   1999年:奔腾Ⅲ问世,450MHz,采用0.25μm工艺,后采用0.18μm工艺;
* t# Z: C2 b5 h- E4 C# M# v5 @7 d   2000年: 1Gb RAM投放市场;# z3 l) ]# V  _3 y& ]: Q/ J- `
   2000年:奔腾4问世,1.5GHz,采用0.18μm工艺;& }- o1 \! Z' A
   2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。! c& L$ K' T" I) N' @$ J
   2.我国集成电路的发展历史/ R: s4 f7 U$ O/ u' s
   我国集成电路产业诞生于六十年代,共经历了三个发展阶段:
4 f/ y3 r* @) ?' y3 |1 {   1965年-1978年:以计算机和军工配套为目标,以开发逻辑电路为主要产 品,初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件;
# B9 _" K5 ^; b) y: P" o   1978年-1990年:主要引进美国二手设备,改善集成电路装备水平,在“治散治乱”的同时,以消费类整机作为配套重点,较好地解决了彩电集成电路的国产化;7 Z4 R- r0 @* s5 K; D) d: P% i
   1990年-2000年:以908工程、909工程为重点,以CAD为突破口,抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设,为信息产业服务,集成电路行业取得了新的发展。
 楼主| Alesis 发表于 2006-8-5 03:47:00
四、集成电路的封装种类, s9 A7 [5 e" c0 ~2 x
   1、BGA(ball grid array)9 H) F: f+ `3 u+ k4 {# I# d) C; j& [
   球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有 可 能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在 也有 一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为 ,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。 美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见OMPAC 和GPAC)。- [! g( b  o; i8 a- m
   2、BQFP(quad flat package with bumper)% s8 \" k7 |! [5 ~8 j) z
   带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中 采用 此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
% S0 @4 t# s1 M0 m+ W   4、C-(ceramic)
. a% @' D8 V9 K1 x   表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
8 F- R$ U! c' i* C% R3 F/ R   5、Cerdip+ U# t7 _/ K, F7 r8 ~7 g  Q4 y
   用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距2.54mm,引脚数从8 到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。
& h1 V6 o$ j7 f) [- e+ ]   6、Cerquad) _8 Y% `/ l% H4 K
   表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗 口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1. 5~ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3~5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。0 Y* A  r; X9 l9 n( H
   带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见QFJ)。) ?3 m( T' `/ a) p/ T6 T
   8、COB(chip on board)
/ V; P( U9 u, i5 R; c   板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与 基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。
+ {' L- d: D$ u8 N% e" u- s   9、DFP(dual flat package)% B% {9 t# F& U. H2 \, ^5 d
   双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。6 T5 z7 W! [% C  G# x' C+ m
   10、DIC(dual in-line ceramic package)
' @$ W" I- v% Q3 ?5 O   陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
0 y3 l8 C; w" H% @+ E   11、DIL(dual in-line)
, l2 C+ m: P0 K( E7 Y* V   DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。3 e( ?' [" R) y3 D) H3 D
   12、DIP(dual in-line package)
; K$ V2 J: U, v- B8 v* B& ~0 B   双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。 引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加 区分, 只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。% E: z; [9 E* n
   13、DSO(dual small out-lint)! s, M/ {6 r: k% I7 v0 `
   双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。7 ?; K5 C5 ^) J2 M" F
   14、DICP(dual tape carrier package)$ y, y1 S1 x4 @
   双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为 定制品。 另外,0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机 械工 业)会标准规定,将DICP 命名为DTP。, c0 ?6 U' n& A0 _
   15、DIP(dual tape carrier package)
' e# e% e& W9 k1 x2 _# q   同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。  X3 e! d; ?, a5 G, K
   16、FP(flat package)+ d0 D2 B' ]& H% g1 f  a
   扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。: w. [  c- P! r% p8 G3 x% c
   17、flip-chip2 b# g0 [. l, C7 n) m
   倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸 点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。2 H1 a- _% A7 \+ s
   18、FQFP(fine pitch quad flat package)6 N7 \4 V3 x/ g: s' h+ r
   小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。2 n; _) S$ s  ^( `/ d
   19、CPAC(globe top pad array carrier)
; w: Z& p, ]( Z  ?   美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。8 e5 @) |+ s4 U6 v/ ]
   20、CQFP(quad fiat package with guard ring)8 g5 t4 @" s& T3 V$ {( {  y
   带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变 形。 在把LSI 组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208 左右。
$ T! {7 d! l+ z4 b  A0 A# n   21、H-(with heat sink)
" H" i( S9 a* L3 _& C' n   表示带散热器的标记。例如,HSOP 表示带散热器的SOP。2 Y" j7 ]! j  e
   22、pin grid array(surface mount type), s+ X, F$ k, y; q0 ^5 q
   表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA 小一半,所以封装本体可制作得 不 怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。5 Q1 B' J. c1 S
   23、JLCC(J-leaded chip carrier)6 W3 b6 K% d- `0 L- [" O
   J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半 导体厂家采用的名称。
. b/ K# I0 v) ?9 F4 [+ S   24、LCC(Leadless chip carrier)- f, ^" b& N8 A5 t# C/ @2 K# L
   无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频IC 用封装,也称为陶瓷QFN 或QFN-C(见QFN)。
7 p: j* W( e" |! m   25、LGA(land grid array)
& `& ?4 P$ U* M) m   触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻 抗 小,对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。! S0 P4 g( T& V
   26、LOC(lead on chip)$ Z2 ^' h. S  V, G1 k
   芯片上引线封装。LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片 的 中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
) \! p0 W; p- [  p* r   27、LQFP(low profile quad flat package)
4 t! [6 d- W  J   薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。0 A# C; M' D$ F7 z" V9 |% Z
   28、L-QUAD$ L. E" K0 K  g3 T4 u: I
   陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8 倍,具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装, 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装,并于1993 年10 月开始投入批量生产。
* f+ K; S$ O* N   29、MCM(multi-chip module)' i/ G' w8 z* Q& m
   多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大类。 MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低 。 MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。
1 E5 j& W+ w' |! h4 ^7 |% Z   MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。 布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。5 ~. n" u! F2 Y: e2 s( x0 ?  K+ m2 R
   30、MFP(mini flat package)
8 ~: n4 n6 L# C- {2 W   小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。5 u& ]. O$ i- k. G
   31、MQFP(metric quad flat package)
5 P/ K2 N3 Y$ U   按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm~2.0mm 的标准QFP(见QFP)。. W5 f* m9 J2 n+ @, S" L9 ?% m
   32、MQUAD(metal quad)
1 _" P- C) g) s  P" c. ?+ o   美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空 冷 条件下可容许2.5W~2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。
 楼主| Alesis 发表于 2006-8-5 04:10:00
33、MSP(mini square package)) R0 G" }# T" m; }
   QFI 的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。
! D& O, [1 Q) y+ [. J! T* ?8 r   34、OPMAC(over molded pad array carrier)
& r2 t# P& l1 Z- Q' l, }   模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。
: B- r: u9 ?) q: B( u) P   35、P-(plastic)
" t# }5 q" a4 e! [8 k, R: g% u) w9 W   表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。; w7 E; j6 ~( i& y/ f# J; V9 J  t
   36、PAC(pad array carrier)
+ P/ h! W3 B! n( p& n4 X0 x7 o   凸点陈列载体,BGA 的别称(见BGA)。
  w& d7 @- ], [( a" m( d   37、PCLP(printed circuit board leadless package)
1 j3 B( T$ w, l" |/ H6 m) s   印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引
8 W: e0 f: `/ i2 O2 I   脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。2 Y! }1 g5 j  G7 d( ]- x! n" m
   38、PFPF(plastic flat package)
6 j+ C" e0 ~+ ^3 k$ s. z   塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。
8 k! ~: j+ L4 f& I6 y; p* l   39、PGA(pin grid array)$ R/ f8 t  u. J, ?- L
   陈列引脚封装。插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都 采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下,多数为陶瓷PGA,用于高速大规模 逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从64 到447 左右。了为降低成本,封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64~256 引脚的塑料PG A。 另外,还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装 型PGA)。5 N( E" g3 q( q6 T; J" Q% E5 @
   40、piggy back7 ]* ?) L6 G" j$ c/ B% h$ J
   驮载封装。指配有插座的陶瓷封装,形关与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设 备时用于评价程序确认操作。例如,将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是 定制 品,市场上不怎么流通。5 B1 E+ g4 r1 i3 \( H
   41、PLCC(plastic leaded chip carrier)
* t& G- W9 L2 w9 o0 ^   带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 , 是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用,现在已经 普 及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 到84。 J 形引脚不易变形,比QFP 容易操作,但焊接后的外观检查较为困难。 PLCC 与LCC(也称QFN)相似。以前,两者的区别仅在于前者用塑料,后者用陶瓷。但现 在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PC LP、P -LCC 等),已经无法分辨。为此,日本电子机械工业会于1988 年决定,把从四侧引出 J 形引 脚的封装称为QFJ,把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。
+ S* z) q! j6 E4 V1 d; p( |/ a   42、P-LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier): K3 Q5 H2 t& Y7 U' }2 l
   有时候是塑料QFJ 的别称,有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分
& d+ o* B# f( ^& u( k   LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装,用P-LCC 表示无引线封装,以示区别。
2 y) [& E9 R- x4 w. d8 L   43、QFH(quad flat high package)$ l/ W8 b# g& g& v
   四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种,为了防止封装本体断裂,QFP 本体制作得 较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。
4 ^! b/ Y$ k% t7 f( m   44、QFI(quad flat I-leaded packgac)
7 m$ Q/ G* B1 z! h   四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈I 字 。也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分,贴装占有面 积小 于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。此外,日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 于68。
- {# l/ J# O6 ?( _4 J& @   45、QFJ(quad flat J-leaded package)
, H, g4 G3 q9 o" y   四侧J 形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈J 字形 。 是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。
% X% d! V, z- l: m6 E& R) h" p   材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC),用于微机、门陈列、 DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18 至84。
8 q, M' F8 j1 i   陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及 带有EPROM 的微机芯片电路。引脚数从32 至84。
: ], J. [5 q& y% X) T$ d   46、QFN(quad flat non-leaded package)/ ?7 N8 D- t$ t: f! {
   四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点,由于无引脚,贴装占有面积比QFP 小,高度 比QFP 低。但是,当印刷基板与封装之间产生应力时,在电极接触处就不能得到缓解。因此电 极触点 难于作到QFP 的引脚那样多,一般从14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。+ Q4 j, A* s" A( L$ d' a" D
   塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外, 还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P-LCC 等。# v% D9 v9 Z# M4 [
   47、QFP(quad flat package)
. b5 I# L- N! v9 @+ g   四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一,引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有 陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看,塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时, 多数情 况为塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。不仅用于微处理器,门陈列等数字 逻辑LSI 电路,而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。
% P! J3 s* ?/ a; s   日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)。但现在日本电子机械工业会对QFP 的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别,而是根据封装本体厚度分为 QFP(2.0mm~3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。; ?$ ~& B% ^9 C1 Q3 G
   另外,有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP,至使名称稍有一些混乱 。 QFP 的缺点是,当引脚中心距小于0.65mm 时,引脚容易弯曲。为了防止引脚变形,现已 出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP);带树脂 保护环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP);在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专 用夹 具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。在逻辑LSI 方面,不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqa d)。
3 ]* A1 q9 c: c: |( \! f0 Q2 x/ w   48、QFP(FP)(QFP fine pitch)
; f& m2 D  X+ k: W   小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。
7 u7 g$ E9 @* D3 B0 a   49、QIC(quad in-line ceramic package)$ I6 O3 M* k2 {
   陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。
2 f( G, ^3 A8 }3 I   50、QIP(quad in-line plastic package)* n+ }, a( B: B
   塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。3 H1 D! r( ?% `* |; O* @
   51、QTCP(quad tape carrier package)/ o+ t( ]- d, b& G$ O9 |! F2 }
   四侧引脚带载封装。TCP 封装之一,在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。4 p0 c1 Q% i$ C" {1 X8 i) [
   52、QTP(quad tape carrier package)9 Z+ s/ ?6 @* Y' g  W5 s
   四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用 的 名称(见TCP)。
( L9 z0 l( X+ W: V# {  
 楼主| Alesis 发表于 2006-8-5 22:13:00
53、QUIL(quad in-line)
8 T0 A2 V7 T% g  F: m. `   QUIP 的别称(见QUIP)。
. w  Z" b* D. u. O/ z   54、QUIP(quad in-line package)6 @0 V) b1 Q3 D1 R/ r0 z% ?
   四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出,每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚 中心距1.27mm,当插入印刷基板时,插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板 。是 比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采 用了些 种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。7 I& f8 _/ _2 q: D% h
   55、SDIP (shrink dual in-line package)$ H5 w( a9 ~3 H* t) {- t
   收缩型DIP。插装型封装之一,形状与DIP 相同,但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm),+ E1 X0 }% @9 K4 \) h
   因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SH-DIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。: R* w% T2 s" |/ d9 g
   56、SH-DIP(shrink dual in-line package)
( m% d0 H. \" R% z* G   同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。7 s( @# W( m0 N9 s
   57、SIL(single in-line)
3 r! H( w/ B& |. ~   SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。5 B* A/ c$ R* x
   58、SIMM(single in-line memory module)1 U3 e6 |& L3 e0 J( J% v# M1 z% Y
   单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人 计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30~40%的DRAM 都装配在SIMM 里。, H/ ^: V3 e/ F9 W2 t
   59、SIP(single in-line package)8 {8 k: m5 [& k0 l2 ~7 N
   单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出,排列成一条直线。当装配到印刷基板上时 封 装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从2 至23,多数为定制产品。封装的形 状各 异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。9 z" ?2 p; s7 ?$ u9 F
   60、SK-DIP(skinny dual in-line package)7 v3 r- p9 _; b' _& j) E6 t
   DIP 的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP(见 DIP)。
! P7 b% Y% A, I6 `1 }/ N0 `   61、SL-DIP(slim dual in-line package). t  W7 ~( k; L# h0 Z  P. F
   DIP 的一种。指宽度为10.16mm,引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP。" M8 g2 _7 w+ w. j, c/ J7 @) `
   62、SMD(surface mount devices)
3 E' U% B9 f% Z! Q: P  \* }: R   表面贴装器件。偶而,有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。
# o) ^$ B# }: U& ]   SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。" |1 m, p& y$ j2 T! G3 g
   64、SOI(small out-line I-leaded package)1 v0 ?3 a7 W& e# z' A& f2 b
   I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形,中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26。
, s9 [* ^/ |$ z1 C- c# b   65、SOIC(small out-line integrated circuit)
& [. W9 ^# G( W& N! J   SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。
& L4 z2 c9 F. D4 O6 r5 m% y   66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)- p* r& k/ `6 R
   J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形,故此 得名。 通常为塑料制品,多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路,但绝大部分是DRAM。用SO J 封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm,引脚数从20 至40(见SIMM )。" p: m' b9 i* h- m6 L  z1 x
   67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)" j5 Q( x  Z& O& K$ v+ x' |
   按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。
+ \8 l2 q! F$ G, C, t& T   68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)2 H% i/ x: B0 x' }5 n7 ~4 O
   无散热片的SOP。与通常的SOP 相同。为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别,有意 增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。
1 D- m0 c  h5 r3 O; d6 G  j1 k   69、SOP(small Out-Line package)
! E; f4 r: }6 m1 }1 _: |! x   小外形封装。表面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷两种。另外也叫SOL 和DFP。
7 f% v) e* M0 t3 I2 B   SOP 除了用于存储器LSI 外,也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不 超过10~40 的领域,SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从8 ~44。0 i" v) \+ W: \/ |
   另外,引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP;装配高度不到1.27mm 的SOP 也称为 TSOP(见SSOP、TSOP)。还有一种带有散热片的SOP。8 o1 x& n5 {# u: S) S+ A9 e9 |2 ]
   70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype))- U: G8 X6 K8 R+ p
   宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。
focusrite 发表于 2006-8-6 05:59:00
也来学习了
媚眼 发表于 2006-8-8 01:26:00
好文章,不错啊,点赞了,可以收藏学习了啊!~
飙风 发表于 2006-8-14 05:27:00

[原创]

顶~~~~~~~~~~~!<br/>
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